Transistor IGBT

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  • Transistor IGBT IHW40N60R - 600v - 120A - TO-247

    Transistor IGBT IHW40N60R – 600v – 120A – TO-247

    9,00 
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    • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
    • Courant Collecteur Continu (IC) : 80.0 A
    • Courant Collecteur Pulsé (ICpuls) : 120.0 A
    • Courant Direct Diode (IF) :80.0 A
    • Courant Pulsé Diode (IFpuls) : 120.0 A
    • Tension Gâchette-Émetteur (VGE) : ±20 V
    • Puissance Dissipée : 305.0 W
  • 40N60 - NGTB40N60FLWG Transistor IGBT N 600V 40A 252W TO-247

    40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247

    7,50 
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    40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247

    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 290W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40A
    • Boitier: TO247
  • G20N60 - HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    5,50 
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    G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40V
    • Boitier: TO247
  • G80N60UF - Transistor IGBT N 600V 80A 165W TO-3PF

    G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W TO-3PF

    7,00 
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    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 110W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 80a
    • Boitier:TO-3PF
  • SGP40N60UF- Transistor IGBT N 600V 40A 160W TO-220

    SGP04N60 – Transistor IGBT N 600V 4A 50W TO-220

    1,50 
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      • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
      • Courant Collecteur Continu (IC) : 4 A
      • Boîtier : TO-220
      • Commutation rapide
      • Faible résistance à l’état passant
      • Gestion efficace de la puissance
      • Conception robuste
    •  
  • G20N60 - HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

    4,20 
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    SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

    • Boitier: TO-247-3
    • Style de montage: Traversant
    • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200
    • Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
    • Poids de l”unité: 3,8 g
  • T4-3570 Transistor IGBT 600V 4A 70W DPAK

    T4-3570 Transistor IGBT 600V 4A 70W DPAK

    1,20 
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    • Désignation:T4-3570
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 70W
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 4A
    • Température Maximum Jonction (Tj), °C: 125
    • Boitier: DPAK

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