TRANSISTORS MOSFET

Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et l’amplification Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (FET ou MOSFET).

Catégorie des produits

Produits

  • STP20NM60FD - MOSFET de Puissance - 600v - 20A

    STP20NM60FD – MOSFET de Puissance – 600v – 20A

    6,00 
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    • Tension Drain-Source (V_DS) : 600V
    • Courant Drain Continu (I_D) : 20A
    • Courant de Drain Pulsé (I_DM) : 80A (valeurs typiques)
    • Résistance Drain-Source (R_DS(on)) : 0.3Ω (valeurs typiques)
    • Tension de Grille (V_GS) : ±30V
  • 10N60 - AOT10N60 -Mosfet N - 600v - 10A - To220

    10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

    2,30 
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    10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

    Donnée technique:

    • Tension Drain – source :600V
    • courant Collecteur(DC): 10A
    • courant Collecteur(Pulse): 15A
    • Dissipation 156W
    • Température Stockage- 55 ~ 150°
  • FCPF11N60 - Mosfet N - 600v - 11A - To220

    FCPF11N60 – Mosfet N – 600v – 11A – To220

    4,00 
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    FQP11N60NZ – Mosfet N – 600v – 11A – To220

    Donnée technique:

    • Tension Drain – source :600V
    • ID courant drain: 11A
    • Dissipation: 36W
    • Température- 55 ~ 150°
  • FQP5N60NZ - Mosfet N - 600v - 5A - To220

    FQP5N60NZ – Mosfet N – 600v – 5A – To220

    5,00 
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    FQP5N60NZ – Mosfet N – 600v – 5A – To220

    Donnée technique:

    • Tension Drain – source :600V
    • ID courant drain: 5A
    • Eas *courant Drain(Pulse): 20A
    • Dissipation: 62.5W
    • Température- 55 ~ 150°
  • 2SK1626 - Transistors mosfet channel N- 450v - 5A - To220 - 35W

    2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

    4,00 
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    2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

    Donnée technique:

    • VCBO Tension Collecteur-Base:450V
    • IC courant Collecteur: 5A
  • ZVN2106G - N Mosfet - 60v - 0,7A - Sot 223 - 2W

    ZVN2106G – N Mosfet – 60v – 0,7A – Sot 223 – 2W

    1,20 
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    • Polarité du transistor : N-Channel
    • Tension de drain source Vds : 60 V
    • Id de courant de drain continu : 700 mA
    • Rds (on): 2ohm
    • Style de boîtier : SOT-223
  • 2SK363- Transistor à effet de champs - 40v - To92

    2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To92

    5,00 
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    2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To220

    Donnée technique:

    • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 40V
  • NTD2955 - Transistors mosfet channel P- 60v - 12A - D2P- 55W

    NTD2955 – Transistors mosfet channel P- 60v – 12A – D2P- 55W

    2,00 
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    NTD2955 – Transistors mosfet channel P- 60v – 12A – D2P- 55W

    Donnée technique:

    • VCBO Tension Collecteur-Base:60V
    • IC courant Collecteur: 12A
  • 8c5h30l -Dual Mosfet P - 30v - 8A -Sot-8

    8c5h30l -Dual Mosfet P & N – 30v – 8A -Sot-8

    3,00 
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    8c5h30l -Dual Mosfet P & N – 30v – 8A -So 8

    • Tension Drain-source : 30V
    • Courant Drain  (DC): 8A
    • boitier: So 8
  • IRF1104 - Mosfet P - 40v - 100A - To220 - 170w

    IRF1104PBF – Mosfet P – 40v – 100A – To220 – 170w

    1,50 
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    IRF1104PBF – Mosfet P – 40v – 100A – To220 – 170w

    • Tension Drain-source : 40V
    • Courant Drain  (DC): 100A
    • Total power dissipation: 170W
    • Jonction température:-55°C à +175°C
  • 2SK3798 - Mosfet N - 900v - 4A - Dpak

    2SK3798 – Mosfet N – 900v – 4A – Dpak – 5W

    8,00 
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    • Tension Drain-source : 900V
    • Courant Drain  (DC): 4A
    • Total Power dissipation: 5W
    • Jonction température:150°C

     

  • IRF3205STRLPBF

    IRF3205STRLPBF – Mosfet N – 55v – 110A – D2pak – 200W

    2,40 
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    • Tension Drain-source : 55V
    • Courant Drain  (DC): 110A
    • Total power dissipation: 200W
    • Jonction température:175°C
  • IRFD9014 - Mosfet P - 60v - 0.8A - Dip4 - 1.3W

    IRFD9014 – Mosfet P – 60v – 1.1A – Dip4 – 1.3W

    1,00 
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    • Tension Drain-source : 60V
    • Courant Drain  (DC): 1.1A
    • Total Power dissipation: 1.3W
    • Jonction température:-55 à 175°C

     

  • IRLR2905ZTRPBF - Mosfet N - 55v - 42A - Dpak - 110W

    IRLR2905ZTRPBF – Mosfet N – 55v – 42A – Dpak – 110W

    1,60 
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    • Tension Drain-source : 55V
    • Courant Drain  (DC): 60A
    • Total power dissipation: 110W
    • Jonction température:175°C
  • IRF9510 - Mosfet P - 100v - 4A - To220 - 50w

    IRF9510 – Mosfet P – 100v – 4A – To220 – 50w

    0,80 
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    IRF9510 – Mosfet P – 100v – 4A – To220 – 50w

    • Tension Drain-source : 100V
    • Courant Drain  (DC): 4A
    • Total power dissipation: 43W
    • Jonction température:-55°C à +175°C
  • IRF1104 - Mosfet P - 40v - 100A - To220 - 170w

    IRF9520 – Mosfet P – 100v – 6.8A – To220 – 60w

    1,00 
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    IRF9520 – Mosfet P – 100v – 6.8A – To220 – 60w

    • Tension Drain-source : 100V
    • Courant Drain  (DC): 6.8A
    • Total power dissipation: 60W
    • Jonction température:-55°C à +175°C
  • MIP2E1DMY - Mosfet -AC / DC convertisseur - 700V - 0.43A

    MIP2E1DMY – Mosfet -AC / DC convertisseur – 700V – 0.43A (thermomix)

    5,00 
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    MIP2E1DMY – Mosfet -AC / DC convertisseur – 700V – 0.43A

    Idéal pour réparer vos Thermomix qui ne s’allume plus

    • Tension Drain-source : 700V
    • Courant Drain  (DC): 0.43A
    • Total power dissipation: 90W
    • Jonction température:-55°C à +150°C
  • fdpf12n50t

    FDPF12N50T Transistor MOSFET N 500V 12A 3 Pin TO-220

    2,00 
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    • Tension drain-source (Vds) nominale : 500 V
    • Courant de drain continu (Id) : 12 A
    • Résistance drain-source (Rds(on)) : 0,65 ohms (max)
    • Boîtier : TO-220
  • Etiquette

    IRF100B201 Transistor MOSFET N 100V 136A 3 Pin TO-220

    4,70 
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    • Type de Transistor: N-MOSFET
    • Technologie: HEXFET®
    • Polarisation: Unipolaire
    • Tension Drain-Source: 100V
    • Courant Drain: 136A
    • Courant Drain Pulsé: 690A
    • Puissance Dissipée: 441W
    • Boîtier: TO-220AB
    • Tension Porte-Source: ±20V
  • K3561 - 2SK3561 Transistor MOSFET N 500V 8A 3-Pin TO-220

    K3561 – 2SK3561 Transistor MOSFET N 500V 8A 3-Pin TO-220

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    K3561 – 2SK3561 Transistor MOSFET N 500V 8A 3-Pin TO-220

    • Tension Drain-source : 500V
    • Courant Drain  (DC): 5A
    • Dissipation de puissance maximale (Pd): 40 W
    • Tension maximale de drain-source |Vds|: 500 V
    • Type de Canal de contrôle: N -Channel

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