Transistors bipolaires, MOS FET....
Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et l’amplification Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (FET ou MOSFET).
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Produits
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NTE5456 – Thyristor 300V – 4A – TO202-3 – THT
3,00 € Ajouter au panier- Type: thyristor
- Tension inverse max: 300V
- Courant de conduction max: 4A
- Courant d’entrée: 0.2mA
- Boîtier: TO202-3
- Montage: THT
STP20NM60FD – MOSFET de Puissance – 600v – 20A
6,00 € Ajouter au panier- Tension Drain-Source (V_DS) : 600V
- Courant Drain Continu (I_D) : 20A
- Courant de Drain Pulsé (I_DM) : 80A (valeurs typiques)
- Résistance Drain-Source (R_DS(on)) : 0.3Ω (valeurs typiques)
- Tension de Grille (V_GS) : ±30V
Transistor IGBT IHW40N60R – 600v – 120A – TO-247
9,00 € Ajouter au panier- Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
- Courant Collecteur Continu (IC) : 80.0 A
- Courant Collecteur Pulsé (ICpuls) : 120.0 A
- Courant Direct Diode (IF) :80.0 A
- Courant Pulsé Diode (IFpuls) : 120.0 A
- Tension Gâchette-Émetteur (VGE) : ±20 V
- Puissance Dissipée : 305.0 W
TYN616 – Thyristor 800v – 12A – TO220 – THT
2,00 € Ajouter au panier- Tension de crête répétitive (VDRM) : 800 V
- Courant de crête non répétitif (ITSM) : 60 A
- Courant moyen en aval (ITAV) : 12 A
- Boîtier : TO-220
40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247
7,50 € Ajouter au panier40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247
- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 290W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40A
- Boitier: TO247
G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247
5,50 € Ajouter au panierG20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247
- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40V
- Boitier: TO247
G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W TO-3PF
7,00 € Ajouter au panier- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 110W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 80a
- Boitier:TO-3PF
SGP04N60 – Transistor IGBT N 600V 4A 50W TO-220
1,50 € Ajouter au panier-
- Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
- Courant Collecteur Continu (IC) : 4 A
- Boîtier : TO-220
- Commutation rapide
- Faible résistance à l’état passant
- Gestion efficace de la puissance
- Conception robuste
SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247
4,20 € Ajouter au panierSGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247
- Boitier: TO-247-3
- Style de montage: Traversant
- Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200
- Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
- Poids de l »unité: 3,8 g
T4-3570 Transistor IGBT 600V 4A 70W DPAK
1,20 € Ajouter au panier- Désignation:T4-3570
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 70W
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 4A
- Température Maximum Jonction (Tj), °C: 125
- Boitier: DPAK
2SC1815 – Transistors NPN 60v 150ma – C1815
0,50 € Ajouter au panierC1815 – Transistors NPN 60v 150ma
- Dissipation Maximum Collecteur (Pc): 0.4 W
- Tension Maximum Collecteur-Base |Vcb|: 60 V
- Tension Maximum Collector – Émetteur |Vce|: 50 V
- Tension Maximum Emetteur-Base |Veb|: 5 V
- Courant Maximum Collecteur |Ic max|: 0.15 A
- Package: TO92
A1015 – Transistors NPN 60v 150ma
0,25 € Ajouter au panierType: A1015
- Dissipation max : PC(max) = 400mW
- Collecteur- Émetteur Voltage : VCEO = 50V
- Tension Collecteur-Base VCBO : 50 V
- Tension Collecteur – Émetteur VCEO : 50 V
- Courant Collecteur IC :150 mA
- Package: TO92
BD244C – Transistor PNP – 100v – 6A – 65w
0,40 € Ajouter au panierCette série de transistors PNP en plastique de puissance moyenne en silicium peut être utilisée pour des applications d’amplification et de commutation. Les types complémentaires sont BD437 et BD441.
Données technique:
- Tension:100v
- Courant max: 6Ampères
- Type de transistor: pnp
- dissipation max: 65w
BD136 – Transistor PNP – 45v – 1.5A – TO126- 8W
0,30 € Ajouter au panier- Tension:45v
- Courant max: 1.5Ampères
- Type de transistor: PNP
BD137 – Transistor NPN – 60v – 1.5A – TO126 – 12W
0,30 € Ajouter au panier- Tension:60v
- Courant max: 1.5Ampères
- Type de transistor: NPN
BD437 – Transistor NPN – 45v – 4A – TO126- 36W
0,50 € Ajouter au panier- Tension:45v
- Courant max: 4Ampères
- Type de transistor: NPN
BD438 – Transistor PNP – 45v – 4A – BD438
0,50 € Ajouter au panierCette série de transistors PNP en plastique de puissance moyenne en silicium peut être utilisée pour des applications d’amplification et de commutation. Les types complémentaires sont BD437 et BD441.
Données technique:
- Tension:45v
- Courant max: 4Ampères
- Type de transistor: pnp
BD681 – Transistor NPN – 100v – 4A – TO126- 40W
0,50 € Ajouter au panier- Tension:45v
- Courant max: 4Ampères
- Type de transistor: NPN
BTA06-600BWRG Triac – 6A, 600V, Snubberless
1,50 € Ajouter au panier- Courant RMS : 6A
- Tension crête répétitive : 600V
- Commutation Snubberless : Idéal pour charges inductives
- Boîtier TO-220AB isolé : Isolation jusqu’à 2500VRMS
- Courant de gâchette : 5 à 50 mA
- Surintensité non répétitive : 60A (50 Hz)
- Température de fonctionnement : -40°C à +125°C
- Conforme UL : Normes de sécurité UL (E81734)
BTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220
1,30 € Ajouter au panierBTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220
- Type de boitier: TO220
- Tension max en pic: 800 Volts
- Courant max: 8A
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Adresse: 10 C route de la barcalais - 44830 Bouaye
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