Transistors bipolaires, MOS FET....

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  G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

  5,50 € Ajouter au panier

  G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

  • Type de canal IGBT: N-Channel
  • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
  • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
  • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40V
  • Boitier: TO247
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  SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

  4,20 € Ajouter au panier

  SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

  • Boitier: TO-247-3
  • Style de montage: Traversant
  • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200
  • Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
  • Poids de l”unité: 3,8 g
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  2SC1815 – Transistors NPN 60v 150ma – C1815

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  C1815 – Transistors NPN 60v 150ma

  • Dissipation Maximum Collecteur (Pc): 0.4 W
  • Tension Maximum Collecteur-Base  |Vcb|: 60 V
  • Tension Maximum Collector – Émetteur |Vce|: 50 V
  • Tension Maximum Emetteur-Base |Veb|: 5 V
  • Courant Maximum Collecteur |Ic max|: 0.15 A
  • Package: TO92
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  A1015 – Transistors NPN 60v 150ma

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  Type: A1015

  • Dissipation max : PC(max) = 400mW
  • Collecteur- Émetteur Voltage : VCEO = 50V
  • Tension Collecteur-Base VCBO : 50 V
  • Tension Collecteur – Émetteur VCEO : 50 V
  • Courant Collecteur IC :150 mA
  • Package: TO92
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  BD244C – Transistor PNP – 100v – 6A – 65w

  0,40 € Ajouter au panier

  Cette série de transistors PNP en plastique de puissance moyenne en silicium peut être utilisée pour des applications d’amplification et de commutation. Les types complémentaires sont BD437 et BD441.

  Données technique:

  • Tension:100v
  • Courant max: 6Ampères
  • Type de transistor: pnp
  • dissipation max: 65w

  Datasheet bd244

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  BD438 – Transistor PNP – 45v – 4A – BD438

  0,50 € Ajouter au panier

  Cette série de transistors PNP en plastique de puissance moyenne en silicium peut être utilisée pour des applications d’amplification et de commutation. Les types complémentaires sont BD437 et BD441.

  Données technique:

  • Tension:45v
  • Courant max: 4Ampères
  • Type de transistor: pnp

  Datasheet bd438

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  BTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220

  0,85 € Ajouter au panier

  BTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220

  • Type de boitier: TO220
  • Tension max en pic: 800 Volts
  • Courant max: 8A
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  BTA16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

  1,10 € Ajouter au panier

  BTA16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

  • Type de boitier: TO220
  • Tension max en pic: 800 Volts
  • Courant max: 16A
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  BTB16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

  1,10 € Ajouter au panier

  BTB16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

  • Type de boitier: TO220
  • Tension max en pic: 800 Volts
  • Courant max: 16A
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  Triac T8 1060 600V, 8A, 50ma THT, d2pack

  1,25 € Ajouter au panier

  Triac T8 1060 600V, 8A, 50ma THT, d2pack

  • Type de boitier: d2pack
  • Tension max en pic: 800 Volts
  • Courant max: 8A
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  10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

  2,30 € Ajouter au panier

  10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

  Donnée technique:

  • Tension Drain – source :600V
  • courant Collecteur(DC): 10A
  • courant Collecteur(Pulse): 15A
  • Dissipation 156W
  • Température Stockage- 55 ~ 150°
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  2N2222A 2N2222 – Transistor Bipolaire – NPN – TO18 – 50v – 0.5A

  0,50 € Ajouter au panier

  Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et dans l’amplification. Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (qui sont couramment appelée FET ou MOSFET).

  Datasheet P2N2222A-D

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  2N2222A- Transistors Bipolaire – NPN – TO92

  0,20 € Ajouter au panier

  Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et dans l’amplification. Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (qui sont couramment appelée FET ou MOSFET).

  Datasheet P2N2222A-D

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  2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

  4,00 € Ajouter au panier

  2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

  Donnée technique:

  • VCBO Tension Collecteur-Base:450V
  • IC courant Collecteur: 5A
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  ZVN2106G – N Mosfet – 60v – 0,7A – Sot 223 – 2W

  1,20 € Ajouter au panier
  • Polarité du transistor : N-Channel
  • Tension de drain source Vds : 60 V
  • Id de courant de drain continu : 700 mA
  • Rds (on): 2ohm
  • Style de boîtier : SOT-223
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  2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To92

  5,00 € Ajouter au panier

  2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To220

  Donnée technique:

  • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 40V
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  BDX33C – Transistor NPN – 100v – 10A – To220 – 70W

  0,60 € Ajouter au panier

  BDX33C – Transistor NPN – 100v – 10A – To220

  Donnée technique:

  • VCBO Tension Collecteur-Base:100V
  • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 100V
  • IC courant Collecteur(DC): 10A
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  C5242 Toshiba – Transistor NPN – 230V – 15A – 80W

  2,20 € Ajouter au panier

  C5242 Toshiba – Transistor NPN – 230V – 15A – 80W

  Donnée technique:

  • Tension Collecteur- base : 230V
  • Courant collecteur :15 A
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  NTD2955 – Transistors mosfet channel P- 60v – 12A – D2P- 55W

  2,00 € Ajouter au panier

  NTD2955 – Transistors mosfet channel P- 60v – 12A – D2P- 55W

  Donnée technique:

  • VCBO Tension Collecteur-Base:60V
  • IC courant Collecteur: 12A
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  S9012- Transistor PNP – 40v – 0,5A – To92

  0,10 € Ajouter au panier

  S9012- Transistor PNP – 40v – 0,5A – To92

  Donnée technique:

  • Tension Collecteur- base : 40V
  • Courant collecteur :0,5 A