Transistors bipolaires, MOS FET....

Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et l’amplification Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (FET ou MOSFET).

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Produits

  • G20N60 - HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    5,50
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    G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40V
    • Boitier: TO247
  • G20N60 - HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

    4,20
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    SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

    • Boitier: TO-247-3
    • Style de montage: Traversant
    • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200
    • Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
    • Poids de l”unité: 3,8 g
  • 2SC1815 - Transistors NPN 60v 150ma - C1815

    2SC1815 – Transistors NPN 60v 150ma – C1815

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    C1815 – Transistors NPN 60v 150ma

    • Dissipation Maximum Collecteur (Pc): 0.4 W
    • Tension Maximum Collecteur-Base  |Vcb|: 60 V
    • Tension Maximum Collector – Émetteur |Vce|: 50 V
    • Tension Maximum Emetteur-Base |Veb|: 5 V
    • Courant Maximum Collecteur |Ic max|: 0.15 A
    • Package: TO92
  • A1015 - Transistors NPN 60v 150ma

    A1015 – Transistors NPN 60v 150ma

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    Type: A1015

    • Dissipation max : PC(max) = 400mW
    • Collecteur- Émetteur Voltage : VCEO = 50V
    • Tension Collecteur-Base VCBO : 50 V
    • Tension Collecteur – Émetteur VCEO : 50 V
    • Courant Collecteur IC :150 mA
    • Package: TO92
  • BD244 - Transistor PNP - 100v - 6A - 65w

    BD244C – Transistor PNP – 100v – 6A – 65w

    0,40
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    Cette série de transistors PNP en plastique de puissance moyenne en silicium peut être utilisée pour des applications d’amplification et de commutation. Les types complémentaires sont BD437 et BD441.

    Données technique:

    • Tension:100v
    • Courant max: 6Ampères
    • Type de transistor: pnp
    • dissipation max: 65w

    Datasheet bd244

  • BD438 - Transistor PNP - 45v - 4A - BD438

    BD438 – Transistor PNP – 45v – 4A – BD438

    0,20
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    Cette série de transistors PNP en plastique de puissance moyenne en silicium peut être utilisée pour des applications d’amplification et de commutation. Les types complémentaires sont BD437 et BD441.

    Données technique:

    • Tension:45v
    • Courant max: 4Ampères
    • Type de transistor: pnp

    Datasheet bd438

  • BTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220

    BTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220

    0,85
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    BTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220

    • Type de boitier: TO220
    • Tension max en pic: 800 Volts
    • Courant max: 8A
  • BTA16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

    BTA16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

    1,10
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    BTA16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

    • Type de boitier: TO220
    • Tension max en pic: 800 Volts
    • Courant max: 16A
  • BTB16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

    BTB16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

    1,10
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    BTB16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

    • Type de boitier: TO220
    • Tension max en pic: 800 Volts
    • Courant max: 16A
  • Triac T8 1060 600V, 8A, 50ma THT, d2pack

    Triac T8 1060 600V, 8A, 50ma THT, d2pack

    1,25
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    Triac T8 1060 600V, 8A, 50ma THT, d2pack

    • Type de boitier: d2pack
    • Tension max en pic: 800 Volts
    • Courant max: 8A
  • 10N60 - AOT10N60 -Mosfet N - 600v - 10A - To220

    10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

    2,30
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    10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

    Donnée technique:

    • Tension Drain – source :600V
    • courant Collecteur(DC): 10A
    • courant Collecteur(Pulse): 15A
    • Dissipation 156W
    • Température Stockage- 55 ~ 150°
  • 2N2222A- Transistors Bipolaire - NPN - TO18

    2N2222A 2N2222 – Transistor Bipolaire – NPN – TO18 – 50v – 0.5A

    0,50
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    Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et dans l’amplification. Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (qui sont couramment appelée FET ou MOSFET).

    Datasheet P2N2222A-D

  • 2N2222A- Transistors Bipolaire – NPN – TO92

    0,20
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    Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et dans l’amplification. Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (qui sont couramment appelée FET ou MOSFET).

    Datasheet P2N2222A-D

  • 2SK1626 - Transistors mosfet channel N- 450v - 5A - To220 - 35W

    2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

    4,00
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    2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

    Donnée technique:

    • VCBO Tension Collecteur-Base:450V
    • IC courant Collecteur: 5A
  • 2SK363- Transistor à effet de champs - 40v - To92

    2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To92

    5,00
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    2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To220

    Donnée technique:

    • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 40V
  • BDX33C - Transistor NPN - 100v - 10A - To220 - 70W

    BDX33C – Transistor NPN – 100v – 10A – To220 – 70W

    0,60
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    BDX33C – Transistor NPN – 100v – 10A – To220

    Donnée technique:

    • VCBO Tension Collecteur-Base:100V
    • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 100V
    • IC courant Collecteur(DC): 10A
  • C5242 Toshiba – Transistor NPN - 230V - 15A - 80W

    C5242 Toshiba – Transistor NPN – 230V – 15A – 80W

    2,20
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    C5242 Toshiba – Transistor NPN – 230V – 15A – 80W

    Donnée technique:

    • Tension Collecteur- base : 230V
    • Courant collecteur :15 A
  • NTD2955 - Transistors mosfet channel P- 60v - 12A - D2P- 55W

    NTD2955 – Transistors mosfet channel P- 60v – 12A – D2P- 55W

    2,00
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    NTD2955 – Transistors mosfet channel P- 60v – 12A – D2P- 55W

    Donnée technique:

    • VCBO Tension Collecteur-Base:60V
    • IC courant Collecteur: 12A
  • S9012- Transistor PNP - 40v - 0,5A - To92

    S9012- Transistor PNP – 40v – 0,5A – To92

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    S9012- Transistor PNP – 40v – 0,5A – To92

    Donnée technique:

    • Tension Collecteur- base : 40V
    • Courant collecteur :0,5 A
  • S9013- Transistor NPN - 40v - 0,5 A - To92

    S9013- Transistor NPN – 40v – 0,5 A – To92

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    S9013- Transistor NPN – 40v – To92

    Donnée technique:

    • Tension Collecteur- base : 40V
    • Courant collecteur :0,5 A

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