Transistors bipolaires, MOS FET....

Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et l’amplification Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (FET ou MOSFET).

Produits

  • NTE5456 - Thyristor 300V - 4A - TO202-3 - THT

    NTE5456 – Thyristor 300V – 4A – TO202-3 – THT

    3,00 
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    • Type: thyristor
    • Tension inverse max: 300V
    • Courant de conduction max: 4A
    • Courant d’entrée: 0.2mA
    • Boîtier: TO202-3
    • Montage: THT
  • STP20NM60FD - MOSFET de Puissance - 600v - 20A

    STP20NM60FD – MOSFET de Puissance – 600v – 20A

    6,00 
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    • Tension Drain-Source (V_DS) : 600V
    • Courant Drain Continu (I_D) : 20A
    • Courant de Drain Pulsé (I_DM) : 80A (valeurs typiques)
    • Résistance Drain-Source (R_DS(on)) : 0.3Ω (valeurs typiques)
    • Tension de Grille (V_GS) : ±30V
  • Transistor IGBT IHW40N60R - 600v - 120A - TO-247

    Transistor IGBT IHW40N60R – 600v – 120A – TO-247

    9,00 
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    • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
    • Courant Collecteur Continu (IC) : 80.0 A
    • Courant Collecteur Pulsé (ICpuls) : 120.0 A
    • Courant Direct Diode (IF) :80.0 A
    • Courant Pulsé Diode (IFpuls) : 120.0 A
    • Tension Gâchette-Émetteur (VGE) : ±20 V
    • Puissance Dissipée : 305.0 W
  • TYN616 - Thyristor 800v - 12A - TO220 - THT

    TYN616 – Thyristor 800v – 12A – TO220 – THT

    2,00 
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    • Tension de crête répétitive (VDRM) : 800 V
    • Courant de crête non répétitif (ITSM) : 60 A
    • Courant moyen en aval (ITAV) : 12 A
    • Boîtier : TO-220
  • 40N60 - NGTB40N60FLWG Transistor IGBT N 600V 40A 252W TO-247

    40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247

    7,50 
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    40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247

    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 290W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40A
    • Boitier: TO247
  • G20N60 - HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    5,50 
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    G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40V
    • Boitier: TO247
  • G80N60UF - Transistor IGBT N 600V 80A 165W TO-3PF

    G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W TO-3PF

    7,00 
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    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 110W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 80a
    • Boitier:TO-3PF
  • SGP40N60UF- Transistor IGBT N 600V 40A 160W TO-220

    SGP04N60 – Transistor IGBT N 600V 4A 50W TO-220

    1,50 
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      • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
      • Courant Collecteur Continu (IC) : 4 A
      • Boîtier : TO-220
      • Commutation rapide
      • Faible résistance à l’état passant
      • Gestion efficace de la puissance
      • Conception robuste
    •  
  • G20N60 - HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

    4,20 
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    SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

    • Boitier: TO-247-3
    • Style de montage: Traversant
    • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200
    • Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
    • Poids de l”unité: 3,8 g
  • T4-3570 Transistor IGBT 600V 4A 70W DPAK

    T4-3570 Transistor IGBT 600V 4A 70W DPAK

    1,20 
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    • Désignation:T4-3570
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 70W
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 4A
    • Température Maximum Jonction (Tj), °C: 125
    • Boitier: DPAK
  • 2SC1815 - Transistors NPN 60v 150ma - C1815

    2SC1815 – Transistors NPN 60v 150ma – C1815

    0,50 
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    C1815 – Transistors NPN 60v 150ma

    • Dissipation Maximum Collecteur (Pc): 0.4 W
    • Tension Maximum Collecteur-Base  |Vcb|: 60 V
    • Tension Maximum Collector – Émetteur |Vce|: 50 V
    • Tension Maximum Emetteur-Base |Veb|: 5 V
    • Courant Maximum Collecteur |Ic max|: 0.15 A
    • Package: TO92
  • A1015 - Transistors NPN 60v 150ma

    A1015 – Transistors NPN 60v 150ma

    0,25 
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    Type: A1015

    • Dissipation max : PC(max) = 400mW
    • Collecteur- Émetteur Voltage : VCEO = 50V
    • Tension Collecteur-Base VCBO : 50 V
    • Tension Collecteur – Émetteur VCEO : 50 V
    • Courant Collecteur IC :150 mA
    • Package: TO92
  • BD244 - Transistor PNP - 100v - 6A - 65w

    BD244C – Transistor PNP – 100v – 6A – 65w

    0,40 
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    Cette série de transistors PNP en plastique de puissance moyenne en silicium peut être utilisée pour des applications d’amplification et de commutation. Les types complémentaires sont BD437 et BD441.

    Données technique:

    • Tension:100v
    • Courant max: 6Ampères
    • Type de transistor: pnp
    • dissipation max: 65w

     

  • BD136 - Transistor NPN - 45v - 1.5A - TO126- 8W

    BD136 – Transistor PNP – 45v – 1.5A – TO126- 8W

    0,30 
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    • Tension:45v
    • Courant max: 1.5Ampères
    • Type de transistor: PNP

     

  • BD137 - Transistor NPN - 60v - 1.5A - TO126 - 12W

    BD137 – Transistor NPN – 60v – 1.5A – TO126 – 12W

    0,30 
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    • Tension:60v
    • Courant max: 1.5Ampères
    • Type de transistor: NPN

     

  • BD437 - Transistor NPN - 45v - 4A - TO126- 36W

    BD437 – Transistor NPN – 45v – 4A – TO126- 36W

    0,50 
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    • Tension:45v
    • Courant max: 4Ampères
    • Type de transistor: NPN

     

  • BD438 - Transistor PNP - 45v - 4A - BD438

    BD438 – Transistor PNP – 45v – 4A – BD438

    0,50 
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    Cette série de transistors PNP en plastique de puissance moyenne en silicium peut être utilisée pour des applications d’amplification et de commutation. Les types complémentaires sont BD437 et BD441.

    Données technique:

    • Tension:45v
    • Courant max: 4Ampères
    • Type de transistor: pnp

    Datasheet bd438

  • BD681 - Transistor NPN - 100v - 4A

    BD681 – Transistor NPN – 100v – 4A – TO126- 40W

    0,50 
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    • Tension:45v
    • Courant max: 4Ampères
    • Type de transistor: NPN

     

  • BTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220

    BTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220

    1,30 
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    BTA08 600V, 8A, 50ma THT, TO220

    • Type de boitier: TO220
    • Tension max en pic: 800 Volts
    • Courant max: 8A
  • BTA16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

    BTA16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

    1,10 
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    BTA16 600V, 16A, 50ma THT, TO220

    • Type de boitier: TO220
    • Tension max en pic: 800 Volts
    • Courant max: 16A

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