STP20NM60FD – MOSFET de Puissance – 600v – 20A

6,00 

  • Tension Drain-Source (V_DS) : 600V
  • Courant Drain Continu (I_D) : 20A
  • Courant de Drain Pulsé (I_DM) : 80A (valeurs typiques)
  • Résistance Drain-Source (R_DS(on)) : 0.3Ω (valeurs typiques)
  • Tension de Grille (V_GS) : ±30V

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UGS : stp20nm60fd-mosfet-de-puissance-600v-20a Catégorie :

Description

STP20NM60FD – MOSFET de Puissance

Informations Générales

  • Fabricant : STMicroelectronics
  • Type de Composant : MOSFET de Puissance
  • Référence : STP20NM60FD

Caractéristiques Électriques

  • Tension Drain-Source (V_DS) : 600V
  • Courant Drain Continu (I_D) : 20A
  • Courant de Drain Pulsé (I_DM) : 80A (valeurs typiques)
  • Résistance Drain-Source (R_DS(on)) : 0.3Ω (valeurs typiques)
  • Tension de Grille (V_GS) : ±30V

Applications Principales Le STP20NM60FD est couramment utilisé dans les applications nécessitant une commutation de puissance efficace, telles que les alimentations à découpage, les onduleurs, les convertisseurs DC-DC, etc.

Caractéristiques Additionnelles

  • Boîtier : TO-220
  • Température de Jonction (T_J) : -55°C à +150°C
  • Package : Isolation complète (isolé)
  • Conforme RoHS : Oui

Téléchargements Pour plus de détails techniques, veuillez consulter la fiche technique du STP20NM60FD : Fiche Technique

Remarque Importante Cette fiche produit est fournie à titre informatif uniquement. Veuillez consulter la fiche technique complète du fabricant pour des informations détaillées sur les spécifications et les caractéristiques du composant.

Informations complémentaires

Poids 0,002 kg

Brand

ST

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