Description
STP20NM60FD – MOSFET de Puissance
Informations Générales
- Fabricant : STMicroelectronics
- Type de Composant : MOSFET de Puissance
- Référence : STP20NM60FD
Caractéristiques Électriques
- Tension Drain-Source (V_DS) : 600V
- Courant Drain Continu (I_D) : 20A
- Courant de Drain Pulsé (I_DM) : 80A (valeurs typiques)
- Résistance Drain-Source (R_DS(on)) : 0.3Ω (valeurs typiques)
- Tension de Grille (V_GS) : ±30V
Applications Principales Le STP20NM60FD est couramment utilisé dans les applications nécessitant une commutation de puissance efficace, telles que les alimentations à découpage, les onduleurs, les convertisseurs DC-DC, etc.
Caractéristiques Additionnelles
- Boîtier : TO-220
- Température de Jonction (T_J) : -55°C à +150°C
- Package : Isolation complète (isolé)
- Conforme RoHS : Oui
Téléchargements Pour plus de détails techniques, veuillez consulter la fiche technique du STP20NM60FD : Fiche Technique
Remarque Importante Cette fiche produit est fournie à titre informatif uniquement. Veuillez consulter la fiche technique complète du fabricant pour des informations détaillées sur les spécifications et les caractéristiques du composant.
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