Transistor IGBT IHW40N60R – 600v – 120A – TO-247

9,00 

  • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
  • Courant Collecteur Continu (IC) : 80.0 A
  • Courant Collecteur Pulsé (ICpuls) : 120.0 A
  • Courant Direct Diode (IF) :80.0 A
  • Courant Pulsé Diode (IFpuls) : 120.0 A
  • Tension Gâchette-Émetteur (VGE) : ±20 V
  • Puissance Dissipée : 305.0 W

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Description

Transistor IGBT IHW40N60R – 600v – 120A – TO-247

Le composant IHW40N60R est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) inverse, conçu pour des applications nécessitant une commutation douce et une faible tension avant.

Caractéristiques Principales

  • Puissante diode monolithique intégrée avec une faible tension directe, conçue spécifiquement pour la commutation douce.
  • Technologie TRENCHSTOP™ offrant une distribution de paramètres très serrée, une robustesse élevée, une faible tension VCEsat, et une capacité de commutation en parallèle facile grâce à son coefficient de température positif en VCEsat.
  • Faibles émissions électromagnétiques (EMI).
  • Qualifié selon JESD-022 pour des applications ciblées.
  • Plaquage sans plomb (Pb-free) ; Conforme à la norme RoHS.

Spécifications Électriques

  • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
  • Courant Collecteur Continu (IC) :
    • 25°C : 80.0 A
    • 100°C : 40.0 A
  • Courant Collecteur Pulsé (ICpuls) : 120.0 A
  • Courant Direct Diode (IF) :
    • 25°C : 80.0 A
    • 100°C : 40.0 A
  • Courant Pulsé Diode (IFpuls) : 120.0 A
  • Tension Gâchette-Émetteur (VGE) : ±20 V
  • Puissance Dissipée :
    • 25°C : 305.0 W
    • 100°C : 152.5 W
  • Température de Jonction en Fonctionnement : -40…+175°C
  • Température de Stockage : -55…+150°C
  • Température de Soudage en Refusion : 260°C (pour 10 secondes)
  • Couple de Montage pour vis M3 : 0.6 Nm

Résistances Thermiques

  • Résistance Thermique IGBT, Jonction – Boîtier (Rth(j-c)) : 0.49 K/W
  • Résistance Thermique Diode, Jonction – Boîtier (Rth(j-c)) : 0.49 K/W
  • Résistance Thermique Jonction – Ambiant (Rth(j-a)) : 40 K/W

Applications Courantes

  • Cuisine à Induction
  • Fours à Micro-ondes Inversés
  • Convertisseurs Résonnants
  • Applications de Commutation Douce

Pour plus d’informations techniques et de spécifications détaillées, veuillez consulter la documentation officielle sur le site web du fabricant.

Veuillez noter que les caractéristiques électriques peuvent varier en fonction des conditions d’utilisation. Consultez toujours la documentation technique la plus récente pour des informations précises.

Pour toutes vos applications nécessitant un IGBT inverse de haute qualité, choisissez l’IHW40N60R pour des performances exceptionnelles et une fiabilité inégalée.

Informations complémentaires

Poids 0,008 kg

Brand

Infineon

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