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  • Transistor IGBT IHW40N60R - 600v - 120A - TO-247

    Transistor IGBT IHW40N60R – 600v – 120A – TO-247

    9,00 
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    • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
    • Courant Collecteur Continu (IC) : 80.0 A
    • Courant Collecteur Pulsé (ICpuls) : 120.0 A
    • Courant Direct Diode (IF) :80.0 A
    • Courant Pulsé Diode (IFpuls) : 120.0 A
    • Tension Gâchette-Émetteur (VGE) : ±20 V
    • Puissance Dissipée : 305.0 W
  • IRF3205STRLPBF

    IRF3205STRLPBF – Mosfet N – 55v – 110A – D2pak – 200W

    2,40 
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    • Tension Drain-source : 55V
    • Courant Drain  (DC): 110A
    • Total power dissipation: 200W
    • Jonction température:175°C
  • IRLR2905ZTRPBF - Mosfet N - 55v - 42A - Dpak - 110W

    IRLR2905ZTRPBF – Mosfet N – 55v – 42A – Dpak – 110W

    1,60 
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    • Tension Drain-source : 55V
    • Courant Drain  (DC): 60A
    • Total power dissipation: 110W
    • Jonction température:175°C
  • Etiquette

    IRF100B201 Transistor MOSFET N 100V 136A 3 Pin TO-220

    4,70 
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    • Type de Transistor: N-MOSFET
    • Technologie: HEXFET®
    • Polarisation: Unipolaire
    • Tension Drain-Source: 100V
    • Courant Drain: 136A
    • Courant Drain Pulsé: 690A
    • Puissance Dissipée: 441W
    • Boîtier: TO-220AB
    • Tension Porte-Source: ±20V
  • IRFZ24N -Mosfet N – 55v – 17A – To220 – 45W

    1,40 
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    IRFZ24N -Mosfet N – 55v – 17A – To220 – 45W

    • Tension Drain-source : 55V
    • Courant Drain  (DC): 17A
    • Total power dissipation: 45W
    • Jonction température:175°C
    • Drain-source état on : 70mΩ

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