Description
Nom du Produit: Transistor IRF100B201
- Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
- Type de Transistor: N-MOSFET
- Technologie: HEXFETÂź
- Polarisation: Unipolaire
- Tension Drain-Source: 100V
- Courant Drain: 136A
- Courant Drain Pulsé: 690A
- Puissance Dissipée: 441W
- BoĂźtier: TO-220AB
- Tension Porte-Source: ±20V
- RĂ©sistance Ă l’Ă©tat actif (RDS(on)): 4.2mΩ
- Montage: Technologie traversante (THT)
- Charge de Porte: 255nC
- Type de BoĂźtier: Tube
- Type de Canal: Amélioré
Description: Le transistor IRF100B201 de INFINEON TECHNOLOGIES est un N-MOSFET de technologie HEXFETÂź, conçu pour des applications de puissance nĂ©cessitant une commutation rapide et une faible rĂ©sistance Ă l’Ă©tat actif. Ce transistor peut gĂ©rer des tensions de drain-source allant jusqu’Ă 100V et des courants de drain de 136A, ce qui en fait un composant adaptĂ© aux applications exigeantes.
Caractéristiques:
- Tension Drain-Source: 100V
- Courant Drain: 136A
- Courant Drain Pulsé: 690A
- Puissance Dissipée: 441W
- RĂ©sistance Ă l’Ă©tat actif (RDS(on)): 4.2mΩ
- Tension Porte-Source: ±20V
- Charge de Porte: 255nC
- Technologie de pointe HEXFETŸ pour une commutation rapide et une faible résistance
- Montage Ă travers des trous pour une installation facile
- Boßtier TO-220AB résistant
Applications:
- Le transistor IRF100B201 est adaptĂ© Ă une large gamme d’applications, notamment les alimentations Ă dĂ©coupage, les moteurs Ă courant continu, les onduleurs, les convertisseurs DC/DC et bien d’autres.
Remarque: Pour des informations plus détaillées sur les caractéristiques électriques, les courbes de performance et les caractéristiques de sécurité, veuillez vous référer à la fiche technique complÚte du produit fournie par INFINEON TECHNOLOGIES.
Si vous avez besoin de plus d’informations ou si vous avez d’autres questions, n’hĂ©sitez pas Ă demander.
Avis
Il nây a pas encore dâavis.