IRF100B201 Transistor MOSFET N 100V 136A 3 Pin TO-220

Nom du Produit: Transistor IRF100B201

• Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
• Type de Transistor: N-MOSFET
• Technologie: HEXFET®
• Polarisation: Unipolaire
• Tension Drain-Source: 100V
• Courant Drain: 136A
• Courant Drain Pulsé: 690A
• Puissance Dissipée: 441W
• Boîtier: TO-220AB
• Tension Porte-Source: ±20V
• Résistance à l’état actif (RDS(on)): 4.2mΩ
• Montage: Technologie traversante (THT)
• Charge de Porte: 255nC
• Type de Boîtier: Tube
• Type de Canal: Amélioré

Description: Le transistor IRF100B201 de INFINEON TECHNOLOGIES est un N-MOSFET de technologie HEXFET®, conçu pour des applications de puissance nécessitant une commutation rapide et une faible résistance à l’état actif. Ce transistor peut gérer des tensions de drain-source allant jusqu’à 100V et des courants de drain de 136A, ce qui en fait un composant adapté aux applications exigeantes.

Caractéristiques:

• Tension Drain-Source: 100V
• Courant Drain: 136A
• Courant Drain Pulsé: 690A
• Puissance Dissipée: 441W
• Résistance à l’état actif (RDS(on)): 4.2mΩ
• Tension Porte-Source: ±20V
• Charge de Porte: 255nC
• Technologie de pointe HEXFET® pour une commutation rapide et une faible résistance
• Montage à travers des trous pour une installation facile
• Boîtier TO-220AB résistant

Applications:

• Le transistor IRF100B201 est adapté à une large gamme d’applications, notamment les alimentations à découpage, les moteurs à courant continu, les onduleurs, les convertisseurs DC/DC et bien d’autres.

Remarque: Pour des informations plus détaillées sur les caractéristiques électriques, les courbes de performance et les caractéristiques de sécurité, veuillez vous référer à la fiche technique complète du produit fournie par INFINEON TECHNOLOGIES.

Si vous avez besoin de plus d’informations ou si vous avez d’autres questions, n’hésitez pas à demander.