G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W TO-3PF

Description

G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W – TO-3PF

• Désignation: SGF80N60UF
• Type de canal IGBT: N-Channel
• Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 110W
• Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
• Tension de saturation Collecteur- émetteur |Vcesat|: 2.6V
• Tension maximum Grille – Émetteur |Veg|: 20V
• Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 80A
• Température Maximum Jonction (Tj), °C: 150
• Temps de montée nS: 23
• Boitier: TO-3PF