Description
G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W – TO-3PF
- Désignation: SGF80N60UF
- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 110W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Tension de saturation Collecteur- émetteur |Vcesat|: 2.6V
- Tension maximum Grille – Émetteur |Veg|: 20V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 80A
- Température Maximum Jonction (Tj), °C: 150
- Temps de montée nS: 23
- Boitier: TO-3PF
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