Fairchild Semiconductor

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  G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W TO-3PF

  7,00 € Ajouter au panier
  • Type de canal IGBT: N-Channel
  • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 110W
  • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
  • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 80a
  • Boitier:TO-3PF
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  SGP04N60 – Transistor IGBT N 600V 4A 50W TO-220

  1,50 € Ajouter au panier
  • • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
    • Courant Collecteur Continu (IC) : 4 A
    • Boîtier : TO-220
    • Commutation rapide
    • Faible résistance à l’état passant
    • Gestion efficace de la puissance
    • Conception robuste
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  BD244C – Transistor PNP – 100v – 6A – 65w

  0,40 € Ajouter au panier

  Cette série de transistors PNP en plastique de puissance moyenne en silicium peut être utilisée pour des applications d’amplification et de commutation. Les types complémentaires sont BD437 et BD441.

  Données technique:

  • Tension:100v
  • Courant max: 6Ampères
  • Type de transistor: pnp
  • dissipation max: 65w

   

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  BD681 – Transistor NPN – 100v – 4A – TO126- 40W

  0,50 € Ajouter au panier
  • Tension:45v
  • Courant max: 4Ampères
  • Type de transistor: NPN

   

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  FCPF11N60 – Mosfet N – 600v – 11A – To220

  4,00 € Ajouter au panier

  FQP11N60NZ – Mosfet N – 600v – 11A – To220

  Donnée technique:

  • Tension Drain – source :600V
  • ID courant drain: 11A
  • Dissipation: 36W
  • Température- 55 ~ 150°
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  FQP5N60NZ – Mosfet N – 600v – 5A – To220

  5,00 € Ajouter au panier

  FQP5N60NZ – Mosfet N – 600v – 5A – To220

  Donnée technique:

  • Tension Drain – source :600V
  • ID courant drain: 5A
  • Eas *courant Drain(Pulse): 20A
  • Dissipation: 62.5W
  • Température- 55 ~ 150°