G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

5,50

G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

  • Type de canal IGBT: N-Channel
  • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
  • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
  • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40V
  • Boitier: TO247

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UGS : g20n60-hgtg20n60b3d-transistor-igbt-n-600v-20a-165w-to-247 Catégorie :

Description

G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

 

  • Désignation: HGTG20N60B3D
  • Type de canal IGBT: N-Channel
  • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
  • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
  • Tension de saturation Collecteur- émetteur |Vcesat|: 2V
  • Tension maximum Grille – Émetteur |Veg|: 20V
  • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40A
  • Température Maximum Jonction (Tj), °C: 150
  • Temps de montée nS: 25
  • Boitier: TO247

Brand

On semiconductor

Informations complémentaires

Poids 0.008 kg

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