SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

4,20 

SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

  • Boitier: TO-247-3
  • Style de montage: Traversant
  • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200
  • Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
  • Poids de l”unité: 3,8 g

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UGS : sgw25n120-transistor-igbt-n-ch-1200v-46a-313w-to-247 Catégorie :

Description

SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

  • Boitier: TO-247-3
  • Style de montage: Traversant
  • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200 V
  • Tension de l’émetteur de porte max.: 20 V
  • Température de fonctionnement: – 55 C à + 150 C
  • Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
  • Dimension: 20.95 *15.9*5.3 mm
  • Poids de l”unité: 3,8 g

Informations complémentaires

Poids 0,004 kg

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