Description
Transistor SGP04N60
Description Générale : Le transistor SGP04N60 est un composant de la série SGP d’Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) conçu pour des applications exigeant une gestion efficace de la puissance. Il est capable de commuter rapidement et est utilisé dans une variété d’applications électroniques.
Caractéristiques Principales :
- Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
- Courant Collecteur Continu (IC) : 4 A
- Résistance Collecteur-Émetteur à l’état passant (RCE(on)) : Variable en fonction de l’application
- Boîtier : TO-220
- Commutation rapide
- Faible résistance à l’état passant
- Gestion efficace de la puissance
- Conception robuste
Caractéristiques Électriques (à 25 °C) :
- Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
- Courant Collecteur Continu (IC) : 4 A
Caractéristiques Thermiques :
- Température de Jonction de Fonctionnement (TJ) : -55 à +150 °C
- Plage de Température de Stockage (Tstg) : -55 à +150 °C
- Température Maximale des Broches pour les Opérations de Soudage, à 1/8″ du Boîtier pendant 5 Secondes (TL) : 300 °C
- Résistance Thermique, Jonction-vers-Boîtier (RθJC) : Variable en fonction de l’application
- Résistance Thermique, Jonction-vers-Ambiant (RθJA) : Variable en fonction de l’application
Applications :
- Alimentations à découpage
- Convertisseurs DC-DC
- Onduleurs
- Amplificateurs de puissance
- Circuits de commande de moteurs
Avantages :
- Haute tension de blocage
- Faible résistance à l’état passant
- Commutation rapide
- Haute fiabilité
- Conception robuste
Remarque : Le transistor SGP04N60 est un composant polyvalent conçu pour des applications électroniques nécessitant une gestion efficace de la puissance et une commutation rapide. Il est largement utilisé dans diverses applications et convient aux conceptions électroniques nécessitant des performances de puissance fiables. Pour des informations techniques plus détaillées, veuillez consulter la fiche technique officielle fournie par le fabricant.
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