Description
8c5h30l -Dual Mosfet P & N – 30v – 8A -Sot-8
complémentaires, développé à l’aide des technologies STripFET ™ II (canal P) et STripFET ™ V (canal N). Les transistors résultants présentent une densité de tassement extrêmement élevée pour des caractéristiques de résistance à l’avancement et d’avalanche robustes
- Tension Drain-source : 30V
- Courant Drain (DC): 8A
- boitier: So 8
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