P4NK60ZFP Transistor MOSFET N 600V 2.5A 3 TO-220

Transistor MOSFET N-Channel P4NK60ZFP

Description : Le transistor MOSFET N-Channel P4NK60ZFP est un composant de puissance conçu pour des applications de commutation exigeantes. Il est doté de la technologie SuperMESH™ de STMicroelectronics, offrant une résistance à l’état passant réduite et une capacité élevée en dv/dt pour une performance optimale.

Caractéristiques :

• Testé à 100% en avalanche
• Très faibles capacitances intrinsèques
• Protégé par Zener

Applications :

• Applications de commutation

Caractéristiques Électriques :

Ratings Absolus Maximum :

• VDS : Tension Drain-Source : 600 V
• VGS : Tension Gate-Source : ±30 V
• ID (continu) @ TC = 25°C : 4 A
• ID (continu) @ TC = 100°C : 2.5 A
• IDM (pulsé) : 16 A
• PTOT : Dissipation Totale @ TC = 25 °C : 70 W
• ESD (Modèle Humain) : 3 kV
• dv/dt : Pente de Tension Diode : 4.5 V/ns
• VISO : Tension d’Isolation RMS : 2500 V
• TSTG : Température de Stockage : -55 à 150 °C
• TJ : Température de Jonction Max : 150 °C

Données Thermiques :

• Rthj-case : Résistance Thermique Jonction-Boîtier Max : 1.79 °C/W
• Rthj-amb : Résistance Thermique Jonction-Ambiant Max : 62.5 °C/W

Caractéristiques Avalanche :

• IAR : Courant Avalanche (Répétitif ou Non) : 4 A
• EAS : Énergie Avalanche Simple Pulse : 120 mJ

Ces caractéristiques électriques garantissent des performances fiables et une protection robuste pour le transistor MOSFET P4NK60ZFP dans une variété d’applications de commutation.