Transistor IGBT
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FGH20N60SFDTU IGBT Field Stop 600 V, 20 A TO-247
5,00 € Ajouter au panierIGBT de technologie Field Stop, d’une tension collecteur-émetteur de 600 V et d’un courant collecteur de 20 A, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes de conduction et de commutation.
FGH40T65SHD Transistor IGBT 650 V, 40 A
7,00 € Ajouter au panierIGBT de troisième génération utilisant la technologie Field Stop Trench, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes en conduction et en commutation.
IGBT IHW30N160R5, 1600V, 30A
5,00 € Ajouter au panierIGBT à conduction inverse avec diode monolithique intégrée, conçu pour des applications de commutation résonante. Il présente une tension collecteur-émetteur de 1600V et un courant collecteur nominal de 30A.
IGBT Silicium N-Channel 600V 90A TO-247A
4,00 € Ajouter au panierIGBT N-Channel haute vitesse de commutation, tension collecteur-émetteur de 600V, courant collecteur de 90A, avec diode de récupération rapide intégrée, dans un boîtier TO-247A.
IGBT STGP5H60DF – 600V 5A 88W – TO220AB
3,00 € Ajouter au panierTransistor IGBT tension 600V et courant 5A, avec diode antiparallèle, dans un boîtier TO220AB.
IGBT Ultrafast SGH80N60UFD 600V 80A en boîtier TO-3P
8,00 € Ajouter au panierLe SGH80N60UFD est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) conçu pour la commutation rapide, avec une tension collecteur-émetteur de 600 V et un courant de collecteur de 80 A. Il intègre une diode de roue libre et est destiné aux applications de contrôle de moteur et d’onduleurs.
MBQ40T65FDSC IGBT 650V 40A, boîtier TO-247
3,00 € Ajouter au panierIGBT haute tension de 650V avec diode de roue libre intégrée, conçu pour une commutation rapide et de faibles pertes de puissance dans les applications PFC, onduleurs et soudeuses.
RJH3044 IGBT N-Channel 360V 30A TO-220
4,00 € Ajouter au panierL’IGBT RJH3044 est un transistor bipolaire à grille isolée de type canal N, capable de commuter 30A sous 360V, et intègre une diode de récupération rapide.
Transistor IGBT IHW40N60R – 600v – 120A – TO-247
9,00 € Ajouter au panier- Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
- Courant Collecteur Continu (IC) : 80.0 A
- Courant Collecteur Pulsé (ICpuls) : 120.0 A
- Courant Direct Diode (IF) :80.0 A
- Courant Pulsé Diode (IFpuls) : 120.0 A
- Tension Gâchette-Émetteur (VGE) : ±20 V
- Puissance Dissipée : 305.0 W
Transistor IGBT IRGP4068D, 600V, 48A
7,00 € Ajouter au panierTransistor bipolaire à grille isolée (IGBT) de 600V avec une diode intégrée à très faible tension directe, conçu pour le chauffage par induction et les applications à commutation douce.
40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247
7,50 € Ajouter au panier40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247
- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 290W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40A
- Boitier: TO247
G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247
5,50 € Ajouter au panierG20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247
- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40V
- Boitier: TO247
G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W TO-3PF
7,00 € Lire la suite- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 110W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 80a
- Boitier:TO-3PF
SGP04N60 – Transistor IGBT N 600V 4A 50W TO-220 – G04N60
1,50 € Lire la suite-
- Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
- Courant Collecteur Continu (IC) : 4 A
- Boîtier : TO-220
- Commutation rapide
- Faible résistance à l’état passant
- Gestion efficace de la puissance
- Conception robuste
SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247
4,20 € Ajouter au panierSGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247
- Boitier: TO-247-3
- Style de montage: Traversant
- Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200
- Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
- Poids de l »unité: 3,8 g
T4-3570 Transistor IGBT 600V 4A 70W DPAK
1,40 € Ajouter au panier- Désignation:T4-3570
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 70W
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 4A
- Température Maximum Jonction (Tj), °C: 125
- Boitier: DPAK
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