Composant actif

Produits

• 

  Diode STTH4R02 – 200V, 4A – SMB -16 ns – ufmax 0.76v

  0,50 € Ajouter au panier

  Caractéristiques Principales:

  • Tension de recul répétitive (VRRM) : 200 V
  • Courant moyen direct (IF(AV)) : 4 A
  • Tension de seuil direct (VF) typique : 0,76 V
  • Température maximale de jonction (Tj) : 175 °C
  • Temps de récupération inverse typique (trr) : 16 ns
• 

  HER202 – Diode redressement – 2A – 100V – 60A – DO15

  0,20 € Ajouter au panier
  • Courant nominal continue:2A
  • Courant max en pic: 60A
  • Tension inverse: 100v
  • Montage : traversant
• 

  SK3H15SMB – Diode Schottky HT – 120Vdc 3A SMD

  0,35 € Ajouter au panier

  Caractéristiques :

  • Courant Direct Moyen (IFAV) : 3 A
  • Tension de Seuil (VF) : < 0.82 V
  • Température Maximale de Jonction (Tjmax) : 175°C
  • Tension Maximale Récurrente en Sens Inverse (VRRM) : 150V
  • Courant de Crête en Sens Direct (IFSM) : 80A
  • Boîtier : DO-214AA (SMB)
• 

  STTH3R02 – Diode redressement – 3A – 200V – 110A

  0,60 € Ajouter au panier

  Les application typiques de la diodes STTH3R02 sont : la rectification générale des alimentations, les onduleurs, les convertisseurs mais aussi les diodes de roue libre, les variateurs de basse tension et de haute fréquence,  Application de protection contre la polarité et la polarité ·

  • Courant nominal continue:3A
  • Courant max en pic: 110A
  • Tension inverse: 200v
  • Type de diode: standard redressement
  • Température de fonctionnement max: 150°C
• 

  uf5402 – Diode redressement – 3A – 200V – 150A

  0,30 € Ajouter au panier
  • Courant nominal continue:3A
  • Courant max en pic: 150A
  • Tension inverse: 200v
  • Type de diode: standard redressement
• 

  UG4D – Diode redressement – 4A – 200V – 150A – DO201

  0,70 € Ajouter au panier
  • Courant nominal continue:4A
  • Courant max en pic: 150A
  • Tension inverse: 200v
  • Montage : traversant
• 

  10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

  2,30 € Ajouter au panier

  10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

  Donnée technique:

  • Tension Drain – source :600V
  • courant Collecteur(DC): 10A
  • courant Collecteur(Pulse): 15A
  • Dissipation 156W
  • Température Stockage- 55 ~ 150°
• 

  FCPF11N60 – Mosfet N – 600v – 11A – To220

  4,00 € Ajouter au panier

  FQP11N60NZ – Mosfet N – 600v – 11A – To220

  Donnée technique:

  • Tension Drain – source :600V
  • ID courant drain: 11A
  • Dissipation: 36W
  • Température- 55 ~ 150°
• 

  FQP5N60NZ – Mosfet N – 600v – 5A – To220

  5,00 € Ajouter au panier

  FQP5N60NZ – Mosfet N – 600v – 5A – To220

  Donnée technique:

  • Tension Drain – source :600V
  • ID courant drain: 5A
  • Eas *courant Drain(Pulse): 20A
  • Dissipation: 62.5W
  • Température- 55 ~ 150°
• 

  2N2222A 2N2222 – Transistor Bipolaire – NPN – TO18 – 50v – 0.5A

  0,50 € Ajouter au panier

  Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et dans l’amplification. Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (qui sont couramment appelée FET ou MOSFET).

  Datasheet P2N2222A-D

• 

  2N2222A- Transistors Bipolaire – NPN – TO92

  0,20 € Ajouter au panier

  Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et dans l’amplification. Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (qui sont couramment appelée FET ou MOSFET).

  Datasheet P2N2222A-D

• 

  PH2222- Transistors Bipolaire – NPN – TO92 40V – 600mA

  0,15 € Ajouter au panier
  • Type de transistor : NPN
  • Tension maximale collecteur-émetteur (Vce) : 40V
  • Courant collecteur maximal (Ic) : 600mA
  • Gain en courant (hFE) : 100 à 300
  • Fréquence de transition : 250 MHz
  • Dissipation maximale : 625 mW
  • Boîtier : TO-92

   

• 

  2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

  4,00 € Ajouter au panier

  2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

  Donnée technique:

  • VCBO Tension Collecteur-Base:450V
  • IC courant Collecteur: 5A
• 

  ZVN2106G – N Mosfet – 60v – 0,7A – Sot 223 – 2W

  1,20 € Ajouter au panier
  • Polarité du transistor : N-Channel
  • Tension de drain source Vds : 60 V
  • Id de courant de drain continu : 700 mA
  • Rds (on): 2ohm
  • Style de boîtier : SOT-223
• 

  2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To92

  5,00 € Lire la suite

  2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To220

  Donnée technique:

  • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 40V
• 

  2SA1111- Transistor PNP – 150v – 1A – To220 – 20W

  10,00 € Lire la suite

  Donnée technique:

  • VCBO Tension Collecteur-Base:150V
  • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 150V
  • IC courant Collecteur(DC): 1A
• 

  2SD330- Transistor NPN – 100v – 2A – To220 – 20W

  10,00 € Ajouter au panier

  Donnée technique:

  • VCBO Tension Collecteur-Base:50V
  • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 50V
  • IC courant Collecteur(DC): 2A
• 

  BDX33C – Transistor NPN – 100v – 10A – To220 – 70W

  0,60 € Ajouter au panier

  BDX33C – Transistor NPN – 100v – 10A – To220

  Donnée technique:

  • VCBO Tension Collecteur-Base:100V
  • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 100V
  • IC courant Collecteur(DC): 10A
• 

  CSC2238- Transistor NPN – 180v – 1.5A – To220 – 25W

  2,00 € Lire la suite

  Donnée technique:

  • VCBO Tension Collecteur-Base:180V
  • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 180V
  • IC courant Collecteur(DC): 1.5A
• 

  C5242 Toshiba – Transistor NPN – 230V – 15A – 80W

  2,20 € Ajouter au panier

  C5242 Toshiba – Transistor NPN – 230V – 15A – 80W

  Donnée technique:

  • Tension Collecteur- base : 230V
  • Courant collecteur :15 A