Description
Diode SB2100
- Type : Diode redresseuse à barrière Schottky
- Courant nominal : IFAV = 2 A
- Chute de tension directe : VF1 < 0,50 V
- Température maximale de la jonction : Tjmax = 150 °C
- Tension inverse de crête répétitive : VRRM = 20…100 V
- Tension inverse de crête en cas de surtension : VRSM = 50/55 A
- Version : 2018-02-01
- Boîtier : ~DO-15 / ~DO-204AC
- Applications typiques : Redressement de sortie dans les convertisseurs DC/DC, protection de polarité, diodes de roue libre
- Caractéristiques : Faible chute de tension directe, conforme RoHS, REACH, aux minerais de conflit
- Données mécaniques : Conditionnée en ruban dans un emballage de munitions de 4000, Poids approximatif : 0,4 g, Matériau du boîtier UL 94V-0, Conditions de soudage et d’assemblage 260°C/10s
- Caractéristiques maximales : Voir le tableau ci-dessous
- Caractéristiques : Voir le tableau ci-dessous
Caractéristiques Maximales :
Paramètre | Valeur |
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Tension inverse de crête répétitive | 100 V |
Tension inverse de crête en cas de surtension | 100 V |
Courant redressé moyen | 2 A |
Courant de crête direct répétitif | 12 A |
Courant de crête en cas de surtension | 50 A (50 Hz), 55 A (60 Hz) |
Indice de fusion | 12.5 A2s |
Température de jonction | -50…+150°C |
Température de stockage | -50…+175°C |
Caractéristiques :
- Courant de fuite : < 0,5 mA à Tj = 25°C, < 5 mA à Tj = 100°C, VR = VRRM
- Résistance thermique jonction-ambiante : < 45 K/W
- Résistance thermique jonction-fil : < 15 K/W
Pour des spécifications détaillées, consultez la fiche technique du fabricant
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