Transistors bipolaires, MOS FET....

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  • Transistor NPN bipolaire 2SC1740S, 50V, 0.15A

    Transistor NPN bipolaire 2SC1740S, 50V, 0.15A

    1,00 
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    Transistor NPN en silicium de type planaire épitaxial, conçu pour des applications générales de commutation et d’amplification.

  • Transistor NPN de puissance 2SC2580, boîtier TO-3PN

    Transistor NPN de puissance 2SC2580, boîtier TO-3PN

    12,00 
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    Transistor bipolaire NPN de puissance en silicium, conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC, offrant une capacité de courant élevée et une forte dissipation de puissance.

  • Transistor NPN de puissance pour amplificateur audio 2SC5198

    Transistor NPN de puissance pour amplificateur audio 2SC5198

    6,00 
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    Transistor bipolaire NPN en silicium, de type triple diffusion, conçu pour les étages de puissance d’amplificateurs audio haute fidélité. Composant complémentaire au 2SA1941.

  • Transistor NPN TO-92 BC33725BU 45V 0.8A

    Transistor NPN TO-92 BC33725BU 45V 0.8A

    0,40 
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    Transistor bipolaire NPN de type BC33725BU, conçu pour des applications de commutation et d’amplification. Caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 45V et un courant collecteur de 0.8A, logé dans un boîtier TO-92.

  • Transistor PNP bipolaire BC327BU, 45V 0.8A, boîtier TO92

    Transistor PNP bipolaire BC327BU, 45V 0.8A, boîtier TO92

    0,50 
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    Transistor bipolaire PNP de puissance moyenne, conçu pour des tensions de collecteur-émetteur jusqu’à 45V et un courant de collecteur de 0.8A.

  • Transistor PNP de puissance 2SA1105 en boîtier TO-3PN

    Transistor PNP de puissance 2SA1105 en boîtier TO-3PN

    9,00 
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    Transistor bipolaire PNP de puissance en silicium, conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC. Caractérisé par sa dissipation de puissance élevée et sa fréquence de transition élevée.

  • Transistor PNP de puissance audio 2SA1941, Vceo -140V, Ic -10A

    Transistor PNP de puissance audio 2SA1941, Vceo -140V, Ic -10A

    4,00 
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    Transistor bipolaire PNP silicon de type triple diffusé, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio haute-fidélité de 70 W. Présente une tension de claquage élevée et est le complémentaire du 2SC5198.

  • Transistor PNP de puissance audio 2SA1943 Toshiba

    Transistor PNP de puissance audio 2SA1943 Toshiba

    4,00 
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    Transistor bipolaire PNP en silicium, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio haute-fidélité. Il est complémentaire au transistor 2SC5200.

  • Transistor PNP moyenne puissance FZT955, 140V, 4A,  SOT223

    Transistor PNP moyenne puissance FZT955, 140V, 4A, SOT223

    2,00 
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    Le FZT955 est un transistor bipolaire PNP de moyenne puissance, caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 140V et un courant collecteur continu de 4A, proposé dans un boîtier SOT223.

  • Transistor PNP SMD 20V 1.5A FMMT718TA

    Transistor PNP SMD 20V 1.5A FMMT718TA

    0,60 
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    Transistor bipolaire PNP pour montage en surface, d’une tension collecteur-émetteur de 20V et d’un courant de collecteur continu de 1.5A, conditionné dans un boîtier SOT23.

  • Triac 4Q à déclenchement très sensible Z0107NN0 SOT223

    Triac 4Q à déclenchement très sensible Z0107NN0 SOT223

    0,70 
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    Triac planarisé et passivé, très sensible, à quatre quadrants, dans un boîtier plastique surface-montable SOT223, destiné aux applications nécessitant une immunité au bruit améliorée et une interface directe avec les circuits intégrés de niveau logique.

  • Triac Z0103MA 600V 1A TO-92

    Triac Z0103MA 600V 1A TO-92

    0,60 
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    Triac standard de 1 A pour commutation CA, tension de répétition de 600 V et courant de gâchette de 3 mA, conditionné en boîtier TO-92.

  • TYN616 - Thyristor 800v - 12A - TO220 - THT

    TYN616 – Thyristor 800v – 12A – TO220 – THT

    2,00 
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    • Tension de crête répétitive (VDRM) : 800 V
    • Courant de crête non répétitif (ITSM) : 60 A
    • Courant moyen en aval (ITAV) : 12 A
    • Boîtier : TO-220
  • 40N60 - NGTB40N60FLWG Transistor IGBT N 600V 40A 252W TO-247

    40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247

    7,50 
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    40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247

    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 290W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40A
    • Boitier: TO247
  • G20N60 - HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    5,50 
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    G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40V
    • Boitier: TO247
  • G80N60UF - Transistor IGBT N 600V 80A 165W TO-3PF

    G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W TO-3PF

    7,00 
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    • Type de canal IGBT: N-Channel
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 110W
    • Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 80a
    • Boitier:TO-3PF
  • SGP40N60UF- Transistor IGBT N 600V 40A 160W TO-220

    SGP04N60 – Transistor IGBT N 600V 4A 50W TO-220 – G04N60

    1,50 
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      • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
      • Courant Collecteur Continu (IC) : 4 A
      • Boîtier : TO-220
      • Commutation rapide
      • Faible résistance à l’état passant
      • Gestion efficace de la puissance
      • Conception robuste
    •  
  • G20N60 - HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247

    SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

    4,20 
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    SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247

    • Boitier: TO-247-3
    • Style de montage: Traversant
    • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200
    • Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
    • Poids de l »unité: 3,8 g
  • T4-3570 Transistor IGBT 600V 4A 70W DPAK

    T4-3570 Transistor IGBT 600V 4A 70W DPAK

    1,40 
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    • Désignation:T4-3570
    • Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 70W
    • Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 4A
    • Température Maximum Jonction (Tj), °C: 125
    • Boitier: DPAK
  • 2SC1815 - Transistors NPN 60v 150ma - C1815

    2SC1815 – Transistors NPN 60v 150ma – C1815

    0,50 
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    C1815 – Transistors NPN 60v 150ma

    • Dissipation Maximum Collecteur (Pc): 0.4 W
    • Tension Maximum Collecteur-Base  |Vcb|: 60 V
    • Tension Maximum Collector – Émetteur |Vce|: 50 V
    • Tension Maximum Emetteur-Base |Veb|: 5 V
    • Courant Maximum Collecteur |Ic max|: 0.15 A
    • Package: TO92