Transistors bipolaires, MOS FET....
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Transistor NPN bipolaire 2SC1740S, 50V, 0.15A
1,00 € Ajouter au panierTransistor NPN en silicium de type planaire épitaxial, conçu pour des applications générales de commutation et d’amplification.
Transistor NPN de puissance 2SC2580, boîtier TO-3PN
12,00 € Ajouter au panierTransistor bipolaire NPN de puissance en silicium, conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC, offrant une capacité de courant élevée et une forte dissipation de puissance.
Transistor NPN de puissance pour amplificateur audio 2SC5198
6,00 € Ajouter au panierTransistor bipolaire NPN en silicium, de type triple diffusion, conçu pour les étages de puissance d’amplificateurs audio haute fidélité. Composant complémentaire au 2SA1941.
Transistor NPN TO-92 BC33725BU 45V 0.8A
0,40 € Ajouter au panierTransistor bipolaire NPN de type BC33725BU, conçu pour des applications de commutation et d’amplification. Caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 45V et un courant collecteur de 0.8A, logé dans un boîtier TO-92.
Transistor PNP bipolaire BC327BU, 45V 0.8A, boîtier TO92
0,50 € Ajouter au panierTransistor bipolaire PNP de puissance moyenne, conçu pour des tensions de collecteur-émetteur jusqu’à 45V et un courant de collecteur de 0.8A.
Transistor PNP de puissance 2SA1105 en boîtier TO-3PN
9,00 € Ajouter au panierTransistor bipolaire PNP de puissance en silicium, conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC. Caractérisé par sa dissipation de puissance élevée et sa fréquence de transition élevée.
Transistor PNP de puissance audio 2SA1941, Vceo -140V, Ic -10A
4,00 € Ajouter au panierTransistor bipolaire PNP silicon de type triple diffusé, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio haute-fidélité de 70 W. Présente une tension de claquage élevée et est le complémentaire du 2SC5198.
Transistor PNP de puissance audio 2SA1943 Toshiba
4,00 € Ajouter au panierTransistor bipolaire PNP en silicium, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio haute-fidélité. Il est complémentaire au transistor 2SC5200.
Transistor PNP moyenne puissance FZT955, 140V, 4A, SOT223
2,00 € Ajouter au panierLe FZT955 est un transistor bipolaire PNP de moyenne puissance, caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 140V et un courant collecteur continu de 4A, proposé dans un boîtier SOT223.
Transistor PNP SMD 20V 1.5A FMMT718TA
0,60 € Ajouter au panierTransistor bipolaire PNP pour montage en surface, d’une tension collecteur-émetteur de 20V et d’un courant de collecteur continu de 1.5A, conditionné dans un boîtier SOT23.
Triac 4Q à déclenchement très sensible Z0107NN0 SOT223
0,70 € Ajouter au panierTriac planarisé et passivé, très sensible, à quatre quadrants, dans un boîtier plastique surface-montable SOT223, destiné aux applications nécessitant une immunité au bruit améliorée et une interface directe avec les circuits intégrés de niveau logique.
Triac Z0103MA 600V 1A TO-92
0,60 € Ajouter au panierTriac standard de 1 A pour commutation CA, tension de répétition de 600 V et courant de gâchette de 3 mA, conditionné en boîtier TO-92.
TYN616 – Thyristor 800v – 12A – TO220 – THT
2,00 € Ajouter au panier- Tension de crête répétitive (VDRM) : 800 V
- Courant de crête non répétitif (ITSM) : 60 A
- Courant moyen en aval (ITAV) : 12 A
- Boîtier : TO-220
40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247
7,50 € Ajouter au panier40N60 – FGH40N60SFDTU Transistor IGBT N 600V 40A 290W TO-247
- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 290W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40A
- Boitier: TO247
G20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247
5,50 € Ajouter au panierG20N60 – HGTG20N60B3D Transistor IGBT N 600V 20A 165W TO-247
- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 165W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 40V
- Boitier: TO247
G80N60UF – Transistor IGBT N 600V 80A 110W TO-3PF
7,00 € Lire la suite- Type de canal IGBT: N-Channel
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 110W
- Tension Maximum Collecteur – Émetteur |Vce|, : 600V
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 80a
- Boitier:TO-3PF
SGP04N60 – Transistor IGBT N 600V 4A 50W TO-220 – G04N60
1,50 € Lire la suite-
- Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
- Courant Collecteur Continu (IC) : 4 A
- Boîtier : TO-220
- Commutation rapide
- Faible résistance à l’état passant
- Gestion efficace de la puissance
- Conception robuste
SGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247
4,20 € Ajouter au panierSGW25N120 Transistor IGBT, N-CH, 1200V, 46A, 313W, TO-247
- Boitier: TO-247-3
- Style de montage: Traversant
- Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 1200
- Courant de collecteur continu Ic max.: 46 A
- Poids de l »unité: 3,8 g
T4-3570 Transistor IGBT 600V 4A 70W DPAK
1,40 € Ajouter au panier- Désignation:T4-3570
- Puissance de Dissipation Maximal (Pc), : 70W
- Courant Collecteur Maximum |Ic|,: 4A
- Température Maximum Jonction (Tj), °C: 125
- Boitier: DPAK
2SC1815 – Transistors NPN 60v 150ma – C1815
0,50 € Ajouter au panierC1815 – Transistors NPN 60v 150ma
- Dissipation Maximum Collecteur (Pc): 0.4 W
- Tension Maximum Collecteur-Base |Vcb|: 60 V
- Tension Maximum Collector – Émetteur |Vce|: 50 V
- Tension Maximum Emetteur-Base |Veb|: 5 V
- Courant Maximum Collecteur |Ic max|: 0.15 A
- Package: TO92
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Adresse: 10 C route de la barcalais - 44830 Bouaye
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