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  • Transistor N-MOSFET X2-Class 650V 8A TO-263

    Transistor N-MOSFET X2-Class 650V 8A TO-263

    4,50 
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    Transistor MOSFET à canal N de la classe X2, conçu pour des applications haute tension. Il présente une tension drain-source de 650V et un courant de drain de 8A.

  • Transistor NPN 2SC458 pour amplificateur basse fréquence

    Transistor NPN 2SC458 pour amplificateur basse fréquence

    1,00 
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    Transistor bipolaire NPN en silicium épitaxial, conçu pour les applications d’amplification basse fréquence. Fait partie d’une paire complémentaire avec les transistors 2SA1029 et 2SA1.

  • Transistor NPN à résistances intégrées PDTC143XT 50V 100mA SOT23

    Transistor NPN à résistances intégrées PDTC143XT 50V 100mA SOT23

    0,20 
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    Transistor bipolaire NPN équipé de résistances de polarisation, conçu pour les applications numériques afin de réduire le nombre de composants.

  • Transistor NPN bipolaire 2N3055, 100V 15A, boîtier TO-3

    Transistor NPN bipolaire 2N3055, 100V 15A, boîtier TO-3

    2,40 
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    Transistor bipolaire NPN de puissance, conçu pour les circuits de commutation, les régulateurs et les étages de sortie d’amplificateurs. Tension collecteur-émetteur max. 60V, courant collecteur max. 15A.

  • Transistor NPN bipolaire 2SC1740S, 50V, 0.15A

    Transistor NPN bipolaire 2SC1740S, 50V, 0.15A

    1,00 
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    Transistor NPN en silicium de type planaire épitaxial, conçu pour des applications générales de commutation et d’amplification.

  • Transistor NPN de puissance 2SC2580, boîtier TO-3PN

    Transistor NPN de puissance 2SC2580, boîtier TO-3PN

    12,00 
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    Transistor bipolaire NPN de puissance en silicium, conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC, offrant une capacité de courant élevée et une forte dissipation de puissance.

  • Transistor NPN de puissance pour amplificateur audio 2SC5198

    Transistor NPN de puissance pour amplificateur audio 2SC5198

    6,00 
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    Transistor bipolaire NPN en silicium, de type triple diffusion, conçu pour les étages de puissance d’amplificateurs audio haute fidélité. Composant complémentaire au 2SA1941.

  • Transistor NPN TO-92 BC33725BU 45V 0.8A

    Transistor NPN TO-92 BC33725BU 45V 0.8A

    0,40 
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    Transistor bipolaire NPN de type BC33725BU, conçu pour des applications de commutation et d’amplification. Caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 45V et un courant collecteur de 0.8A, logé dans un boîtier TO-92.

  • Transistor PNP bipolaire BC327BU, 45V 0.8A, boîtier TO92

    Transistor PNP bipolaire BC327BU, 45V 0.8A, boîtier TO92

    0,50 
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    Transistor bipolaire PNP de puissance moyenne, conçu pour des tensions de collecteur-émetteur jusqu’à 45V et un courant de collecteur de 0.8A.

  • Transistor PNP de puissance 2SA1105 en boîtier TO-3PN

    Transistor PNP de puissance 2SA1105 en boîtier TO-3PN

    9,00 
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    Transistor bipolaire PNP de puissance en silicium, conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC. Caractérisé par sa dissipation de puissance élevée et sa fréquence de transition élevée.

  • Transistor PNP de puissance audio 2SA1941, Vceo -140V, Ic -10A

    Transistor PNP de puissance audio 2SA1941, Vceo -140V, Ic -10A

    4,00 
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    Transistor bipolaire PNP silicon de type triple diffusé, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio haute-fidélité de 70 W. Présente une tension de claquage élevée et est le complémentaire du 2SC5198.

  • Transistor PNP de puissance audio 2SA1943 Toshiba

    Transistor PNP de puissance audio 2SA1943 Toshiba

    4,00 
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    Transistor bipolaire PNP en silicium, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio haute-fidélité. Il est complémentaire au transistor 2SC5200.

  • Transistor PNP moyenne puissance FZT955, 140V, 4A,  SOT223

    Transistor PNP moyenne puissance FZT955, 140V, 4A, SOT223

    2,00 
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    Le FZT955 est un transistor bipolaire PNP de moyenne puissance, caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 140V et un courant collecteur continu de 4A, proposé dans un boîtier SOT223.

  • Transistor PNP SMD 20V 1.5A FMMT718TA

    Transistor PNP SMD 20V 1.5A FMMT718TA

    0,60 
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    Transistor bipolaire PNP pour montage en surface, d’une tension collecteur-émetteur de 20V et d’un courant de collecteur continu de 1.5A, conditionné dans un boîtier SOT23.

  • Triac 4Q à déclenchement très sensible Z0107NN0 SOT223

    Triac 4Q à déclenchement très sensible Z0107NN0 SOT223

    0,70 
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    Triac planarisé et passivé, très sensible, à quatre quadrants, dans un boîtier plastique surface-montable SOT223, destiné aux applications nécessitant une immunité au bruit améliorée et une interface directe avec les circuits intégrés de niveau logique.

  • Triac Z0103MA 600V 1A TO-92

    Triac Z0103MA 600V 1A TO-92

    0,60 
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    Triac standard de 1 A pour commutation CA, tension de répétition de 600 V et courant de gâchette de 3 mA, conditionné en boîtier TO-92.

  • TYN616 - Thyristor 800v - 12A - TO220 - THT

    TYN616 – Thyristor 800v – 12A – TO220 – THT

    2,00 
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    • Tension de crête répétitive (VDRM) : 800 V
    • Courant de crête non répétitif (ITSM) : 60 A
    • Courant moyen en aval (ITAV) : 12 A
    • Boîtier : TO-220
  • 4N35 Optocoupleur, Sortie Phototransistor, Avec connexion base

    4N35 Optocoupleur, Sortie Phototransistor, Avec connexion base

    0,70 
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    • Tension d’essai d’isolement 5 000 VRMS
    • Capacité de couplage entrée-sortie <0,5 pF
    • Boîtier double ligne à 6 broches
  • MOC3042 Optocoupleur, Sortie Phototriac, DIP6 - THT

    MOC3042 Optocoupleur, Sortie Phototriac, DIP6 – THT

    1,20 
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    • Tension d’essai d’isolement: 4.17Kv
    • Boîtier double ligne à 6 broches DIP6
    • Montage :THT
    •  
  • pc817

    PC817 – Optocoupleur Phototransistor Isolement, Protection

    0,65 
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    • Type de composant : Optocoupleur à phototransistor
    • Tension d’isolation : 5000V (max)
    • Tension directe (LED) : 1.2V à 1.4V
    • Courant direct (LED) : 20 mA (typique)
    • Tension collecteur-émetteur (phototransistor) : 35V
    • Temps de réponse : 2µs à 15µs (typique)
    • Température de fonctionnement : -30°C à +100°C