4N35 Optocoupleur, Sortie Phototransistor, Avec connexion base

Description

Chaque optocoupleur 4n35 est constitué d’une DEL infrarouge à l’arséniure de gallium et d’un phototransistor au silicium NPN. Ces coupleurs sont répertoriés par Underwriters Laboratories (UL) pour se conformer à une tension de test d’isolement de 5 000 VRMS. Les processus d’isolation et le programme de qualité Vishay ISO9001 permettent d’obtenir la performance d’isolation la plus élevée disponible pour un optocoupleur à phototransistor en plastique commun.

CARACTÉRISTIQUES DU 4N35:

• Tension d’essai d’isolement 5 000 VRMS
• Capacité de couplage entrée-sortie <0,5 pF
• Boîtier double ligne à 6 broches
• Conforme à la directive RoHS 2002/95 / CE et conforme à WEEE 2002/96 / ECAPPLICATIONS
• Détection du secteur AC
• Pilotage de relais Reed

Datasheet 4N35