Diodes zener , schottky, cms, traversante, redressement

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  • LL4148- Diode commutation Rapide, 150mA, 100V, SOD-80C

    LL4148- Diode commutation Rapide, 150mA, 100V, SOD-80C

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    • Diode de commutation à signal de petite taille SMD.
    • Courant moyen avant maximal de 150 mA.
    • Tension maximale récurrente en sens inverse de 100 V.
    • Faible tension de seuil inférieure à 1.0 V.
    • Temps de récupération inverse rapide de moins de 4 ns.
    • Conforme aux normes RoHS, REACH et aux Minéraux de Conflit.
  • SR5100 – Diode redressement, 5A, 100V, SB5100 – UL94V-0

    SR5100 – Diode redressement, 5A, 100V, SB5100 – UL94V-0

    0,60 
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    SR5100 – Diode redressement, 5A, 100V, SB5100 – UL94V-0

    • Faible chute de tension directe
    • Capacité de courant élevée
    • Fiabilité élevée
    • Capacité de Surtension élevée
  • 1N5824 -Diode SS54 SK54 5A 40 V DO-214

    1N5824 -Diode SS54 SK54 5A 40 V DO-214

    0,15 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Idéal pour les applications montées en surface
    • Réducteur de tension intégré
    • Faible courant de fuite
    • Capacité de surtension élevée
    • Jonction passivée au verre
    • Courant: 5A
    • Tension: 20 a 100Volt
  • MMBV609LT1 - Diode 5L - 100mA - 20V - SOT23

    MMBV609LT1 – Diode 5L – 100mA – 20V – SOT23

    1,00 
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    • Tension inverse: 20Volt
    • Courant direct: 100mA
    • Température de jonction:+125°C
    • Package: SOT23
    • Capacité de diode: 26 à 30pf
  • APT30DQ120BG -Diode 30A - 1200V - To-247

    APT30DQ120BG – Diode 30A – 1200V – To-247

    4,85 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Boîtier: Plastique moulé
    • Époxy: retardateur de flamme selon la norme UL 94V-0
    • Bornes: Soudé
    • Courant: 30A
    • Tension:1200Volt
    • package: TO-247
  • 1N5061 - Diode de Redressement - 2A - 600V - DO41

    1N5061 – Diode de Redressement – 2A – 600V – DO41

    0,35 
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    • Courant direct moyen (IFAV) : 2 A
    • Tension directe (VF) : < 1.1 V
    • Température maximale de jonction (Tjmax) : 150°C
    • Tension inverse répétitive maximale (VRRM) : 600 V
    • Courant de surcharge maximale (IFSM) : 55 A
  • Diode BAS716 / S1 - 85V - 0.5A - SOD523 - CMS

    Diode BAS716 / S1 – 85V – 0.5A – SOD523 – CMS

    0,30 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Courant: 0.5A
    • Tension inverse: 40Volt
    • Boitier: SOD-523
    • Marquage: S1
    • Température de jonction: 55 à +150°C
  • Diode BAV21WS / S7 - 250V - 0.2A - SOD323f - CMS

    Diode BAV21WS / S7 – 250V – 0.2A – SOD323f – CMS

    0,20 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Courant: 0.5A
    • Tension inverse: 40Volt
    • Boitier: SOD-523
    • Marquage: S1
    • Température de jonction: 55 à +150°C
  • Diode de Redressement 1N4007FL / A7 :1000V, 1.0A SOD123F

    Diode de Redressement 1N4007FL / A7 :1000V, 1.0A SOD123F

    0,30 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Courant: 1A
    • Tension inverse: 1000Volt
    • package SMC
  • Diode MBR0540T1G / B4 - 40V - 0.5A - sod123 - CMS

    Diode MBR0540T1G / B4 – 40V – 0.5A – sod123 – CMS

    0,50 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Courant: 0.5A
    • Tension inverse: 40Volt
    • Boitier: SOD-123
    • Marquage:B4
    • Poids 11.7mg
    • Température de jonction: 55 à +150°C
  • ES2J - 600V Diode de rectification - 2A - DO-214

    ES2J – 600V Diode de rectification – 2A – DO-214 – CMS

    0,30 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Idéal pour les applications montées en surface
    • Réducteur de tension intégré
    • Faible courant de fuite
    • Capacité de surtension élevée
    • Courant: 2A
    • Tension: 600Volt
  • MRA4007 / R17 - 1000V Diode redresseuse - 1A - SMA - CMS

    MRA4007 / R17 – 1000V Diode redresseuse – 1A – SMA – CMS

    0,30 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Courant: 1A
    • Tension inverse: 1000Volt
    • package SMA
  • SS315 - Diode Schottky à Faible Tension de Seuil - 3A 150V

    SS315 – Diode Schottky à Faible Tension de Seuil – 3A 150V

    0,35 
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    • Courant direct moyen (IFAV) : 3 A
    • Tension de blocage inverse maximale (VR) : 150 V
    • Tension directe (VF) : 0.95 V (à IF = 3 A)
    • Température maximale de jonction (Tjmax) : 150°C
    • Capacité de courant de surcharge (IFSM) : 100 A (10 ms demi-sinus)
    • Boîtier : SMC (DO-214AB)
    • Temps de récupération : Très rapide, quasiment nul
  • Diode zener 10V - 1W - 1N4740A

    Diode zener 10V – 1W – 1N4740A

    0,20 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Diodes Zener 10volt 1w de puissance plane en silicium.
    • Pour utilisation dans les circuits de stabilisation et de découpage à haute puissance.
    • Les tensions de Zener sont classées selon la norme internationale E 24.
    • Remplacez le suffixe «C» par «B» pour une tolérance de diodes zener 10v de ± 2%.
    • Qualifié AEC-Q101.
    • Stabilisation de la tension.
    • Courant zener: 200ma
    • VZ range nom: 2.7 to 100V
  • Diode zener 11V - 0.5W - BZX55C11-TAP - DO-35

    Diode zener 11V – 0.5W – BZX55C11-TAP – DO-35

    0,15 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Diodes Zener 11volt 0.5w de puissance plane en silicium.
    • Pour utilisation dans les circuits de stabilisation et de découpage à haute puissance.
    • Les tensions de Zener sont classées selon la norme internationale E 24.
    • Tolérance  ± 5%.
    • Qualifié AEC-Q101.
    • Stabilisation de la tension.
    • Puissance Max 0.5W
  • Diode zener 51V - 0.5W - BZX55C51-TAP - DO-35

    Diode zener 51V – 0.5W – BZX55C51-TAP – DO-35

    0,15 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Diodes Zener 51volt 0.5w de puissance plane en silicium.
    • Pour utilisation dans les circuits de stabilisation et de découpage à haute puissance.
    • Les tensions de Zener sont classées selon la norme internationale E 24.
    • Tolérance  ± 5%.
    • Qualifié AEC-Q101.
    • Stabilisation de la tension.
    • Puissance Max 0.5W
  • Diode zener 12V - 1W - 1N4742A

    Diode zener 12V – 1W – 1N4742A – DO-41 -THT

    0,20 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Diodes Zener 12volt 1w de puissance plane en silicium.
    • Pour utilisation dans les circuits de stabilisation et de découpage à haute puissance.
    • Les tensions de Zener sont classées selon la norme internationale E 24.
    • Remplacez le suffixe «C» par «B» pour une tolérance de diodes zener 12v de ± 2%.
    • Qualifié AEC-Q101.
    • Stabilisation de la tension.
    • Courant zener: 200ma
    • VZ range nom: 2.7 to 100V
  • Diode Zener 13V - 1W - 1N4743A

    Diode Zener 13V – 1W – 1N4743A

    0,20 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Diodes Zener 13volt 1w de puissance plane en silicium.
    • Pour utilisation dans les circuits de stabilisation et de découpage à haute puissance.
    • Les tensions de Zener sont classées selon la norme internationale E 24.
    • Remplacez le suffixe «C» par «B» pour une tolérance de diodes Zener 13v de ± 2%.
    • Qualifié AEC-Q101.
    • Stabilisation de la tension.
    • Courant zener: 200ma
    • VZ range nom: 2.7 to 100V
  • Diode Zener 15V - 1W - 1N4744A

    Diode Zener 15V – 1W – 1N4744A

    0,20 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Diodes Zener 15volt 1w de puissance plane en silicium.
    • Pour utilisation dans les circuits de stabilisation et de découpage à haute puissance.
    • Les tensions de Zener sont classées selon la norme internationale E 24.
    • Remplacez le suffixe «C» par «B» pour une tolérance de diodes Zener 15v de ± 2%.
    • Qualifié AEC-Q101.
    • Stabilisation de la tension.
    • Courant zener: 200ma
    • VZ range nom: 2.7 to 100V
  • Diode Zener 16V - 1W - 1N4745A

    Diode Zener 16V – 1W – 1N4745A

    0,20 
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    CARACTÉRISTIQUES

    • Diodes Zener 16volt 1w de puissance plane en silicium.
    • Pour utilisation dans les circuits de stabilisation et de découpage à haute puissance.
    • Les tensions de Zener sont classées selon la norme internationale E 24.
    • Remplacez le suffixe «C» par «B» pour une tolérance de diodes Zener 16v de ± 2%.
    • Qualifié AEC-Q101.
    • Stabilisation de la tension.
    • Courant Zener: 200ma
    • VZ range nom: 2.7 to 100V