Description
8c5h30l -Dual Mosfet P & N – 30v – 8A -Sot-8
complĂ©mentaires, dĂ©veloppĂ© Ă l’aide des technologies STripFET ™ II (canal P) et STripFET ™ V (canal N). Les transistors rĂ©sultants prĂ©sentent une densitĂ© de tassement extrĂȘmement Ă©levĂ©e pour des caractĂ©ristiques de rĂ©sistance Ă l’avancement et d’avalanche robustes
- Tension Drain-source : 30V
- Courant Drain (DC): 8A
- boitier: So 8
Avis
Il nây a pas encore dâavis.