Composants Électroniques et accessoires

Produits

• 

  Transistor IGBT IRGP4068D, 600V, 48A

  7,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) de 600V avec une diode intégrée à très faible tension directe, conçu pour le chauffage par induction et les applications à commutation douce.

• 

  Transistor IRLZ44NPBF MOSFET N-Channel TO-220AB 55V 41A

  2,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET de puissance unipolaire de type N, conçu pour une tension drain-source de 55V et un courant continu de 41A, présenté dans un boîtier TO-220AB.

• 

  Transistor MOSFET Canal N MDF18N50

  3,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET canal N de puissance, technologie avancée Magnachip, tension de drain-source de 500 V, courant de drain continu de 18 A et résistance on-state typique de 0.22 Ω.

• 

  Transistor MOSFET CoolMOS™ CE 500V IPD50R380CE

  2,50 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET haute tension de 500V, technologie CoolMOS™ CE, avec une résistance à l’état passif (R_DS(on)) de 0.38 Ω et un courant de drain maximal de 9.3 A, dans un boîtier DPAK.

• 

  Transistor MOSFET N 800V 4.3A TO-220FP

  2,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET à canal N haute tension de la série SuperMESH™, conçu pour les applications de commutation. Il présente une tension de drain-source de 800V et un courant de drain continu de 4,3A.

• 

  Transistor MOSFET N-CH 550V 12A TO-220FP

  6,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET N-MOSFET unipolar de 550V et 12A, dans un boîtier TO-220FP.

• 

  Transistor MOSFET N-Channel 40V 3.6A SOT-23 IRLML0040TRPBF

  0,60 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET unipolar de type N, conçu pour la commutation de charges et l’entraînement de moteurs CC, avec une tension drain-source de 40V et un courant de drain continu de 3.6A.

• 

  Transistor MOSFET N-Channel STL36N55M5 550V 22.5A

  9,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET unipolaire de type N-Canal, conçu pour une tension de drain-source de 550V et un courant de drain de 22,5A.

• 

  Transistor N-MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF 30V 5A SOT-23

  0,60 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET N canal de puissance, tension drain-source 30V, courant continu 5A, montage surface sous boîtier SOT-23.

• 

  Transistor N-MOSFET X2-Class 650V 8A TO-263

  4,50 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET à canal N de la classe X2, conçu pour des applications haute tension. Il présente une tension drain-source de 650V et un courant de drain de 8A.

• 

  Transistor NPN 2SC458 pour amplificateur basse fréquence

  1,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN en silicium épitaxial, conçu pour les applications d’amplification basse fréquence. Fait partie d’une paire complémentaire avec les transistors 2SA1029 et 2SA1.

• 

  Transistor NPN à résistances intégrées PDTC143XT 50V 100mA SOT23

  0,20 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN équipé de résistances de polarisation, conçu pour les applications numériques afin de réduire le nombre de composants.

• 

  Transistor NPN bipolaire 2N3055, 100V 15A, boîtier TO-3

  2,40 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN de puissance, conçu pour les circuits de commutation, les régulateurs et les étages de sortie d’amplificateurs. Tension collecteur-émetteur max. 60V, courant collecteur max. 15A.

• 

  Transistor NPN bipolaire 2SC1740S, 50V, 0.15A

  1,00 € Ajouter au panier

  Transistor NPN en silicium de type planaire épitaxial, conçu pour des applications générales de commutation et d’amplification.

• 

  Transistor NPN de puissance 2SC2580, boîtier TO-3PN

  12,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN de puissance en silicium, conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC, offrant une capacité de courant élevée et une forte dissipation de puissance.

• 

  Transistor NPN de puissance pour amplificateur audio 2SC5198

  6,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN en silicium, de type triple diffusion, conçu pour les étages de puissance d’amplificateurs audio haute fidélité. Composant complémentaire au 2SA1941.

• 

  Transistor NPN TO-92 BC33725BU 45V 0.8A

  0,40 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN de type BC33725BU, conçu pour des applications de commutation et d’amplification. Caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 45V et un courant collecteur de 0.8A, logé dans un boîtier TO-92.

• 

  Transistor PNP bipolaire BC327BU, 45V 0.8A, boîtier TO92

  0,50 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire PNP de puissance moyenne, conçu pour des tensions de collecteur-émetteur jusqu’à 45V et un courant de collecteur de 0.8A.

• 

  Transistor PNP de puissance 2SA1105 en boîtier TO-3PN

  9,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire PNP de puissance en silicium, conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC. Caractérisé par sa dissipation de puissance élevée et sa fréquence de transition élevée.

• 

  Transistor PNP de puissance audio 2SA1941, Vceo -140V, Ic -10A

  4,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire PNP silicon de type triple diffusé, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio haute-fidélité de 70 W. Présente une tension de claquage élevée et est le complémentaire du 2SC5198.