Transistors bipolaires, MOS FET....

Produits

• 

  Transistor bipolaire NPN BC238

  1,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN en silicium, conçu pour des applications à petit signal.

• 

  Transistor bipolaire NPN de puissance audio 2SC2577 80V 6A

  7,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN en silicium conçu pour les applications d’amplification audio, avec une tension collecteur-émetteur de 80V et un courant de collecteur de 6A.

• 

  Transistor bipolaire PNP de puissance 2SA1102 (TO-3PN)

  9,00 € Ajouter au panier

  Transistor PNP de puissance en silicium conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC, offrant un courant collecteur élevé et une forte dissipation de puissance.

• 

  Transistor Darlington de puissance NPN 10A TIPL790/A

  3,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire Darlington NPN de puissance en silicium, conçu avec une technologie épitaxiale planaire robuste. Il supporte un courant collecteur continu de 10 A et ses caractéristiques de fonctionnement sont garanties à 100°C.

• 

  Transistor de puissance NPN 2SC3856, 180 V, 15 A, boîtier TO-3PN

  12,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN de puissance en silicium, conçu pour des applications audio et à usage général, en complément du type 2SA1492.

• 

  Transistor haute fréquence RF-IF 2SC922

  3,00 € Ajouter au panier

  Composant électronique de type transistor bipolaire conçu pour les applications haute fréquence dans les gammes radiofréquence et fréquence intermédiaire.

• 

  Transistor IGBT IHW40N60R – 600v – 120A – TO-247

  9,00 € Ajouter au panier
  • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
  • Courant Collecteur Continu (IC) : 80.0 A
  • Courant Collecteur Pulsé (ICpuls) : 120.0 A
  • Courant Direct Diode (IF) :80.0 A
  • Courant Pulsé Diode (IFpuls) : 120.0 A
  • Tension Gâchette-Émetteur (VGE) : ±20 V
  • Puissance Dissipée : 305.0 W
• 

  Transistor IGBT IRGP4068D, 600V, 48A

  7,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) de 600V avec une diode intégrée à très faible tension directe, conçu pour le chauffage par induction et les applications à commutation douce.

• 

  Transistor IRLZ44NPBF MOSFET N-Channel TO-220AB 55V 41A

  2,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET de puissance unipolaire de type N, conçu pour une tension drain-source de 55V et un courant continu de 41A, présenté dans un boîtier TO-220AB.

• 

  Transistor MOSFET Canal N MDF18N50

  3,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET canal N de puissance, technologie avancée Magnachip, tension de drain-source de 500 V, courant de drain continu de 18 A et résistance on-state typique de 0.22 Ω.

• 

  Transistor MOSFET CoolMOS™ CE 500V IPD50R380CE

  2,50 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET haute tension de 500V, technologie CoolMOS™ CE, avec une résistance à l’état passif (R_DS(on)) de 0.38 Ω et un courant de drain maximal de 9.3 A, dans un boîtier DPAK.

• 

  Transistor MOSFET N 800V 4.3A TO-220FP

  2,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET à canal N haute tension de la série SuperMESH™, conçu pour les applications de commutation. Il présente une tension de drain-source de 800V et un courant de drain continu de 4,3A.

• 

  Transistor MOSFET N-CH 550V 12A TO-220FP

  6,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET N-MOSFET unipolar de 550V et 12A, dans un boîtier TO-220FP.

• 

  Transistor MOSFET N-Channel 40V 3.6A SOT-23 IRLML0040TRPBF

  0,60 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET unipolar de type N, conçu pour la commutation de charges et l’entraînement de moteurs CC, avec une tension drain-source de 40V et un courant de drain continu de 3.6A.

• 

  Transistor MOSFET N-Channel STL36N55M5 550V 22.5A

  9,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET unipolaire de type N-Canal, conçu pour une tension de drain-source de 550V et un courant de drain de 22,5A.

• 

  Transistor N-MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF 30V 5A SOT-23

  0,60 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET N canal de puissance, tension drain-source 30V, courant continu 5A, montage surface sous boîtier SOT-23.

• 

  Transistor N-MOSFET X2-Class 650V 8A TO-263

  4,50 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET à canal N de la classe X2, conçu pour des applications haute tension. Il présente une tension drain-source de 650V et un courant de drain de 8A.

• 

  Transistor NPN 2SC458 pour amplificateur basse fréquence

  1,00 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN en silicium épitaxial, conçu pour les applications d’amplification basse fréquence. Fait partie d’une paire complémentaire avec les transistors 2SA1029 et 2SA1.

• 

  Transistor NPN à résistances intégrées PDTC143XT 50V 100mA SOT23

  0,20 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN équipé de résistances de polarisation, conçu pour les applications numériques afin de réduire le nombre de composants.

• 

  Transistor NPN bipolaire 2N3055, 100V 15A, boîtier TO-3

  2,40 € Ajouter au panier

  Transistor bipolaire NPN de puissance, conçu pour les circuits de commutation, les régulateurs et les étages de sortie d’amplificateurs. Tension collecteur-émetteur max. 60V, courant collecteur max. 15A.