TRANSISTORS MOSFET

Produits

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  AUIRF3205ZS Transistor MOSFET N-Channel 55V 110A D2Pak

  6,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET HEXFET® de puissance conçu pour les applications automobiles, offrant une très faible résistance à l’état passant (R_DS(on)) et une température de jonction maximale de 175°C.

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  CS7N65FA9R Transistor MOSFET N-Channel 650V 7A TO-220F

  5,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET de puissance à canal N de 650 V et 7 A, conçu pour les circuits de commutation d’alimentation avec une faible résistance à l’état passant.

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  MOSFET de puissance N-Channel 500V 36A IRFPS37N50A

  8,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET de puissance HEXFET® N-Channel, conçu pour les applications de conversion d’énergie (SMPS, UPS) avec une tension de drain-source de 500V et un courant de drain continu de 36A.

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  STP15810 Transistor MOSFET N-channel 100V 110A, TO-220

  4,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET de puissance N-channel, conçu avec la technologie STripFET™ F7, offrant une très faible résistance à l’état passant et une commutation rapide, dans un boîtier TO-220.

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  STP20NM60FD – MOSFET de Puissance – 600v – 20A

  6,00 € Ajouter au panier
  • Tension Drain-Source (V_DS) : 600V
  • Courant Drain Continu (I_D) : 20A
  • Courant de Drain Pulsé (I_DM) : 80A (valeurs typiques)
  • Résistance Drain-Source (R_DS(on)) : 0.3Ω (valeurs typiques)
  • Tension de Grille (V_GS) : ±30V
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  Transistor IRLZ44NPBF MOSFET N-Channel TO-220AB 55V 41A

  2,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET de puissance unipolaire de type N, conçu pour une tension drain-source de 55V et un courant continu de 41A, présenté dans un boîtier TO-220AB.

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  Transistor MOSFET Canal N MDF18N50

  3,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET canal N de puissance, technologie avancée Magnachip, tension de drain-source de 500 V, courant de drain continu de 18 A et résistance on-state typique de 0.22 Ω.

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  Transistor MOSFET CoolMOS™ CE 500V IPD50R380CE

  2,50 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET haute tension de 500V, technologie CoolMOS™ CE, avec une résistance à l’état passif (R_DS(on)) de 0.38 Ω et un courant de drain maximal de 9.3 A, dans un boîtier DPAK.

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  Transistor MOSFET N 800V 4.3A TO-220FP

  2,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET à canal N haute tension de la série SuperMESH™, conçu pour les applications de commutation. Il présente une tension de drain-source de 800V et un courant de drain continu de 4,3A.

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  Transistor MOSFET N-CH 550V 12A TO-220FP

  6,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET N-MOSFET unipolar de 550V et 12A, dans un boîtier TO-220FP.

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  Transistor MOSFET N-Channel 40V 3.6A SOT-23 IRLML0040TRPBF

  0,60 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET unipolar de type N, conçu pour la commutation de charges et l’entraînement de moteurs CC, avec une tension drain-source de 40V et un courant de drain continu de 3.6A.

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  Transistor MOSFET N-Channel STL36N55M5 550V 22.5A

  9,00 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET unipolaire de type N-Canal, conçu pour une tension de drain-source de 550V et un courant de drain de 22,5A.

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  Transistor N-MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF 30V 5A SOT-23

  0,60 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET N canal de puissance, tension drain-source 30V, courant continu 5A, montage surface sous boîtier SOT-23.

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  Transistor N-MOSFET X2-Class 650V 8A TO-263

  4,50 € Ajouter au panier

  Transistor MOSFET à canal N de la classe X2, conçu pour des applications haute tension. Il présente une tension drain-source de 650V et un courant de drain de 8A.

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  10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

  2,30 € Ajouter au panier

  10N60 – AOT10N60 -Mosfet N – 600v – 10A – To220

  Donnée technique:

  • Tension Drain – source :600V
  • courant Collecteur(DC): 10A
  • courant Collecteur(Pulse): 15A
  • Dissipation 156W
  • Température Stockage- 55 ~ 150°
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  FCPF11N60 – Mosfet N – 600v – 11A – To220

  4,00 € Ajouter au panier

  FQP11N60NZ – Mosfet N – 600v – 11A – To220

  Donnée technique:

  • Tension Drain – source :600V
  • ID courant drain: 11A
  • Dissipation: 36W
  • Température- 55 ~ 150°
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  FQP5N60NZ – Mosfet N – 600v – 5A – To220

  5,00 € Ajouter au panier

  FQP5N60NZ – Mosfet N – 600v – 5A – To220

  Donnée technique:

  • Tension Drain – source :600V
  • ID courant drain: 5A
  • Eas *courant Drain(Pulse): 20A
  • Dissipation: 62.5W
  • Température- 55 ~ 150°
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  2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

  4,00 € Ajouter au panier

  2SK1626 – Transistors mosfet channel N- 450v – 5A – To220 – 35W

  Donnée technique:

  • VCBO Tension Collecteur-Base:450V
  • IC courant Collecteur: 5A
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  ZVN2106G – N Mosfet – 60v – 0,7A – Sot 223 – 2W

  1,20 € Ajouter au panier
  • Polarité du transistor : N-Channel
  • Tension de drain source Vds : 60 V
  • Id de courant de drain continu : 700 mA
  • Rds (on): 2ohm
  • Style de boîtier : SOT-223
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  2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To92

  5,00 € Lire la suite

  2SK363- Transistor à effet de champs – 40v – To220

  Donnée technique:

  • VCEO Tension Collecteur- Émetteur : 40V