Transistors bipolaires, MOS FET....
Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et l’amplification Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (FET ou MOSFET).
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AUIRF3205ZS Transistor MOSFET N-Channel 55V 110A D2Pak
6,00 € Ajouter au panierTransistor MOSFET HEXFET® de puissance conçu pour les applications automobiles, offrant une très faible résistance à l’état passant (RDS(on)) et une température de jonction maximale de 175°C.
CS7N65FA9R Transistor MOSFET N-Channel 650V 7A TO-220F
5,00 € Ajouter au panierTransistor MOSFET de puissance à canal N de 650 V et 7 A, conçu pour les circuits de commutation d’alimentation avec une faible résistance à l’état passant.
Driver MOSFET/IGBT demi-pont IR4427S 1.5A SOIC-8
2,40 € Ajouter au panierDriver MOSFET et IGBT double canal basse tension, avec signaux de sortie en phase avec les entrées, capacité de courant de sortie de ±1.5A et plage d’alimentation de 6V à 20V.
FGH20N60SFDTU IGBT Field Stop 600 V, 20 A TO-247
5,00 € Ajouter au panierIGBT de technologie Field Stop, d’une tension collecteur-émetteur de 600 V et d’un courant collecteur de 20 A, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes de conduction et de commutation.
FGH40T65SHD Transistor IGBT 650 V, 40 A
7,00 € Ajouter au panierIGBT de troisième génération utilisant la technologie Field Stop Trench, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes en conduction et en commutation.
IGBT IHW30N160R5, 1600V, 30A
5,00 € Ajouter au panierIGBT à conduction inverse avec diode monolithique intégrée, conçu pour des applications de commutation résonante. Il présente une tension collecteur-émetteur de 1600V et un courant collecteur nominal de 30A.
IGBT Silicium N-Channel 600V 90A TO-247A
4,00 € Ajouter au panierIGBT N-Channel haute vitesse de commutation, tension collecteur-émetteur de 600V, courant collecteur de 90A, avec diode de récupération rapide intégrée, dans un boîtier TO-247A.
IGBT STGP5H60DF – 600V 5A 88W – TO220AB
3,00 € Ajouter au panierTransistor IGBT tension 600V et courant 5A, avec diode antiparallèle, dans un boîtier TO220AB.
IGBT Ultrafast SGH80N60UFD 600V 80A en boîtier TO-3P
8,00 € Ajouter au panierLe SGH80N60UFD est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) conçu pour la commutation rapide, avec une tension collecteur-émetteur de 600 V et un courant de collecteur de 80 A. Il intègre une diode de roue libre et est destiné aux applications de contrôle de moteur et d’onduleurs.
MBQ40T65FDSC IGBT 650V 40A, boîtier TO-247
3,00 € Ajouter au panierIGBT haute tension de 650V avec diode de roue libre intégrée, conçu pour une commutation rapide et de faibles pertes de puissance dans les applications PFC, onduleurs et soudeuses.
MOSFET de puissance N-Channel 500V 36A IRFPS37N50A
8,00 € Ajouter au panierTransistor MOSFET de puissance HEXFET® N-Channel, conçu pour les applications de conversion d’énergie (SMPS, UPS) avec une tension de drain-source de 500V et un courant de drain continu de 36A.
NTE5456 – Thyristor 300V – 4A – TO202-3 – THT
3,00 € Ajouter au panier- Type: thyristor
- Tension inverse max: 300V
- Courant de conduction max: 4A
- Courant d’entrée: 0.2mA
- Boîtier: TO202-3
- Montage: THT
RJH3044 IGBT N-Channel 360V 30A TO-220
4,00 € Ajouter au panierL’IGBT RJH3044 est un transistor bipolaire à grille isolée de type canal N, capable de commuter 30A sous 360V, et intègre une diode de récupération rapide.
STP15810 Transistor MOSFET N-channel 100V 110A, TO-220
4,00 € Ajouter au panierTransistor MOSFET de puissance N-channel, conçu avec la technologie STripFET™ F7, offrant une très faible résistance à l’état passant et une commutation rapide, dans un boîtier TO-220.
STP20NM60FD – MOSFET de Puissance – 600v – 20A
6,00 € Ajouter au panier- Tension Drain-Source (V_DS) : 600V
- Courant Drain Continu (I_D) : 20A
- Courant de Drain Pulsé (I_DM) : 80A (valeurs typiques)
- Résistance Drain-Source (R_DS(on)) : 0.3Ω (valeurs typiques)
- Tension de Grille (V_GS) : ±30V
Thyristor 0.8A 600V SOT-223 ACS108-6SN
1,00 € Ajouter au panierThyristor interrupteur alternatif protégé contre les surtensions, d’une capacité de 0.8 A sous 600 V, utilisant la technologie ASD™ et fourni dans un boîtier SMD SOT-223.
Thyristor de commutation CA 0.8 A 600 V ACS108-6SA
1,00 € Ajouter au panierThyristor de type commutateur CA ; tension maximum 600 V ; courant RMS maximum 0,8 A ; courant de gâchette de 10 mA ; boîtier TO-92.
Thyristor haute efficacité CLA50E1200HB, 1200V, 50A, TO-247AD
9,00 € Ajouter au panierLe CLA50E1200HB est un thyristor (SCR) haute efficacité de IXYS, conçu pour une tension de blocage répétitive de 1200V et un courant moyen de 50A, dans un boîtier TO-247AD.
Transistor Audio PNP 2SA2151A, 160W, TO-3P
4,00 € Ajouter au panierTransistor bipolaire PNP de puissance pour amplification audio professionnelle, d’une puissance de dissipation de 160 W, dans un boîtier TO-3P.
Transistor bipolaire NPN 2SC5200, 230V, 15A, 150W, boîtier TO3PL
4,00 € Ajouter au panierTransistor bipolaire NPN haute puissance de Toshiba, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio. Caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 230V et un courant de collecteur de 15A.
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