Transistors bipolaires, MOS FET....

Ils existent différents type de transistors qui sont surtout utilisés pour fabriquer des circuits électroniques numérique, processeur d’ordinateur puces électronique, mais aussi en commutation et l’amplification Il peuvent être de types bipolaires, ou à effets de champs (FET ou MOSFET).

Produits

  • AUIRF3205ZS Transistor MOSFET N-Channel 55V 110A D2Pak

    AUIRF3205ZS Transistor MOSFET N-Channel 55V 110A D2Pak

    6,00 
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    Transistor MOSFET HEXFET® de puissance conçu pour les applications automobiles, offrant une très faible résistance à l’état passant (RDS(on)) et une température de jonction maximale de 175°C.

  • CS7N65FA9R Transistor MOSFET N-Channel 650V 7A TO-220F

    CS7N65FA9R Transistor MOSFET N-Channel 650V 7A TO-220F

    5,00 
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    Transistor MOSFET de puissance à canal N de 650 V et 7 A, conçu pour les circuits de commutation d’alimentation avec une faible résistance à l’état passant.

  • Driver MOSFET/IGBT demi-pont IR4427S 1.5A SOIC-8

    Driver MOSFET/IGBT demi-pont IR4427S 1.5A SOIC-8

    2,40 
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    Driver MOSFET et IGBT double canal basse tension, avec signaux de sortie en phase avec les entrées, capacité de courant de sortie de ±1.5A et plage d’alimentation de 6V à 20V.

  • FGH20N60SFDTU IGBT Field Stop 600 V, 20 A TO-247

    FGH20N60SFDTU IGBT Field Stop 600 V, 20 A TO-247

    5,00 
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    IGBT de technologie Field Stop, d’une tension collecteur-émetteur de 600 V et d’un courant collecteur de 20 A, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes de conduction et de commutation.

  • FGH40T65SHD Transistor IGBT 650 V, 40 A

    FGH40T65SHD Transistor IGBT 650 V, 40 A

    7,00 
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    IGBT de troisième génération utilisant la technologie Field Stop Trench, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes en conduction et en commutation.

  • IGBT IHW30N160R5, 1600V, 30A

    IGBT IHW30N160R5, 1600V, 30A

    5,00 
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    IGBT à conduction inverse avec diode monolithique intégrée, conçu pour des applications de commutation résonante. Il présente une tension collecteur-émetteur de 1600V et un courant collecteur nominal de 30A.

  • IGBT Silicium N-Channel 600V 90A TO-247A

    IGBT Silicium N-Channel 600V 90A TO-247A

    4,00 
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    IGBT N-Channel haute vitesse de commutation, tension collecteur-émetteur de 600V, courant collecteur de 90A, avec diode de récupération rapide intégrée, dans un boîtier TO-247A.

  • IGBT STGP5H60DF - 600V 5A 88W - TO220AB

    IGBT STGP5H60DF – 600V 5A 88W – TO220AB

    3,00 
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    Transistor IGBT tension 600V et courant 5A, avec diode antiparallèle, dans un boîtier TO220AB.

  • IGBT Ultrafast SGH80N60UFD 600V 80A en boîtier TO-3P

    IGBT Ultrafast SGH80N60UFD 600V 80A en boîtier TO-3P

    8,00 
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    Le SGH80N60UFD est un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) conçu pour la commutation rapide, avec une tension collecteur-émetteur de 600 V et un courant de collecteur de 80 A. Il intègre une diode de roue libre et est destiné aux applications de contrôle de moteur et d’onduleurs.

  • MBQ40T65FDSC IGBT 650V 40A, boîtier TO-247

    MBQ40T65FDSC IGBT 650V 40A, boîtier TO-247

    3,00 
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    IGBT haute tension de 650V avec diode de roue libre intégrée, conçu pour une commutation rapide et de faibles pertes de puissance dans les applications PFC, onduleurs et soudeuses.

  • MOSFET de puissance N-Channel 500V 36A IRFPS37N50A

    MOSFET de puissance N-Channel 500V 36A IRFPS37N50A

    8,00 
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    Transistor MOSFET de puissance HEXFET® N-Channel, conçu pour les applications de conversion d’énergie (SMPS, UPS) avec une tension de drain-source de 500V et un courant de drain continu de 36A.

  • NTE5456 - Thyristor 300V - 4A - TO202-3 - THT

    NTE5456 – Thyristor 300V – 4A – TO202-3 – THT

    3,00 
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    • Type: thyristor
    • Tension inverse max: 300V
    • Courant de conduction max: 4A
    • Courant d’entrée: 0.2mA
    • Boîtier: TO202-3
    • Montage: THT
  • RJH3044 IGBT N-Channel 360V 30A TO-220

    RJH3044 IGBT N-Channel 360V 30A TO-220

    4,00 
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    L’IGBT RJH3044 est un transistor bipolaire à grille isolée de type canal N, capable de commuter 30A sous 360V, et intègre une diode de récupération rapide.

  • STP15810 Transistor MOSFET N-channel 100V  110A, TO-220

    STP15810 Transistor MOSFET N-channel 100V 110A, TO-220

    4,00 
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    Transistor MOSFET de puissance N-channel, conçu avec la technologie STripFET™ F7, offrant une très faible résistance à l’état passant et une commutation rapide, dans un boîtier TO-220.

  • STP20NM60FD - MOSFET de Puissance - 600v - 20A

    STP20NM60FD – MOSFET de Puissance – 600v – 20A

    6,00 
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    • Tension Drain-Source (V_DS) : 600V
    • Courant Drain Continu (I_D) : 20A
    • Courant de Drain Pulsé (I_DM) : 80A (valeurs typiques)
    • Résistance Drain-Source (R_DS(on)) : 0.3Ω (valeurs typiques)
    • Tension de Grille (V_GS) : ±30V
  • Thyristor 0.8A 600V SOT-223 ACS108-6SN

    Thyristor 0.8A 600V SOT-223 ACS108-6SN

    1,00 
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    Thyristor interrupteur alternatif protégé contre les surtensions, d’une capacité de 0.8 A sous 600 V, utilisant la technologie ASD™ et fourni dans un boîtier SMD SOT-223.

  • Thyristor de commutation CA 0.8 A 600 V ACS108-6SA

    Thyristor de commutation CA 0.8 A 600 V ACS108-6SA

    1,00 
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    Thyristor de type commutateur CA ; tension maximum 600 V ; courant RMS maximum 0,8 A ; courant de gâchette de 10 mA ; boîtier TO-92.

  • Thyristor haute efficacité  CLA50E1200HB, 1200V, 50A, TO-247AD

    Thyristor haute efficacité CLA50E1200HB, 1200V, 50A, TO-247AD

    9,00 
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    Le CLA50E1200HB est un thyristor (SCR) haute efficacité de IXYS, conçu pour une tension de blocage répétitive de 1200V et un courant moyen de 50A, dans un boîtier TO-247AD.

  • Transistor Audio PNP 2SA2151A, 160W, TO-3P

    Transistor Audio PNP 2SA2151A, 160W, TO-3P

    4,00 
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    Transistor bipolaire PNP de puissance pour amplification audio professionnelle, d’une puissance de dissipation de 160 W, dans un boîtier TO-3P.

  • Transistor bipolaire NPN 2SC5200, 230V, 15A, 150W, boîtier TO3PL

    Transistor bipolaire NPN 2SC5200, 230V, 15A, 150W, boîtier TO3PL

    4,00 
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    Transistor bipolaire NPN haute puissance de Toshiba, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio. Caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 230V et un courant de collecteur de 15A.