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  • Thyristor haute efficacité CLA50E1200HB, 1200V, 50A, TO-247AD

    Thyristor haute efficacité CLA50E1200HB, 1200V, 50A, TO-247AD

    9,00 €     Ajouter au panier

    Le CLA50E1200HB est un thyristor (SCR) haute efficacité de IXYS, conçu pour une tension de blocage répétitive de 1200V et un courant moyen de 50A, dans un boîtier TO-247AD.

  • Tiny13A - AVR - Eeprom:64o- SRam: 64o- Flash kb - SO8-W

    Tiny13A – AVR – Eeprom:64o- SRam: 64o- Flash kb – SO8-W

    1,50 €     Ajouter au panier

    • Caractéristiques :

      • Architecture AVR RISC 8 bits
      • Fréquence d’Horloge Maximale : 20MHz
      • Mémoire Programme Flash : 1KB
      • Mémoire EEPROM : 64 octets
      • Mémoire SRAM : 64 octets
      • Boîtier : SOIC-8
  • Transistor Audio PNP 2SA2151A, 160W, TO-3P

    Transistor Audio PNP 2SA2151A, 160W, TO-3P

    4,00 €     Ajouter au panier

    Transistor bipolaire PNP de puissance pour amplification audio professionnelle, d’une puissance de dissipation de 160 W, dans un boîtier TO-3P.

  • Transistor bipolaire NPN 2SC5200, 230V, 15A, 150W, boîtier TO3PL

    Transistor bipolaire NPN 2SC5200, 230V, 15A, 150W, boîtier TO3PL

    4,00 €     Ajouter au panier

    Transistor bipolaire NPN haute puissance de Toshiba, conçu pour les étages de sortie d’amplificateurs audio. Caractérisé par une tension collecteur-émetteur de 230V et un courant de collecteur de 15A.

  • Transistor bipolaire NPN BC238

    Transistor bipolaire NPN BC238

    1,00 €     Ajouter au panier

    Transistor bipolaire NPN en silicium, conçu pour des applications à petit signal.

  • Transistor bipolaire NPN de puissance audio 2SC2577 80V 6A

    Transistor bipolaire NPN de puissance audio 2SC2577 80V 6A

    7,00 €     Ajouter au panier

    Transistor bipolaire NPN en silicium conçu pour les applications d’amplification audio, avec une tension collecteur-émetteur de 80V et un courant de collecteur de 6A.

  • Transistor bipolaire PNP de puissance 2SA1102 (TO-3PN)

    Transistor bipolaire PNP de puissance 2SA1102 (TO-3PN)

    9,00 €     Ajouter au panier

    Transistor PNP de puissance en silicium conçu pour les amplificateurs audio et les convertisseurs DC-DC, offrant un courant collecteur élevé et une forte dissipation de puissance.

  • Transistor Darlington de puissance NPN 10A TIPL790/A

    Transistor Darlington de puissance NPN 10A TIPL790/A

    3,00 €     Ajouter au panier

    Transistor bipolaire Darlington NPN de puissance en silicium, conçu avec une technologie épitaxiale planaire robuste. Il supporte un courant collecteur continu de 10 A et ses caractéristiques de fonctionnement sont garanties à 100°C.

  • Transistor de puissance NPN 2SC3856, 180 V, 15 A, boîtier TO-3PN

    Transistor de puissance NPN 2SC3856, 180 V, 15 A, boîtier TO-3PN

    12,00 €     Ajouter au panier

    Transistor bipolaire NPN de puissance en silicium, conçu pour des applications audio et à usage général, en complément du type 2SA1492.

  • Transistor haute fréquence RF-IF 2SC922

    Transistor haute fréquence RF-IF 2SC922

    3,00 €     Ajouter au panier

    Composant électronique de type transistor bipolaire conçu pour les applications haute fréquence dans les gammes radiofréquence et fréquence intermédiaire.

  • Transistor IGBT IHW40N60R - 600v - 120A - TO-247

    Transistor IGBT IHW40N60R – 600v – 120A – TO-247

    9,00 €     Ajouter au panier
    • Tension Collecteur-Émetteur (VCE) : 600 V
    • Courant Collecteur Continu (IC) : 80.0 A
    • Courant Collecteur Pulsé (ICpuls) : 120.0 A
    • Courant Direct Diode (IF) :80.0 A
    • Courant Pulsé Diode (IFpuls) : 120.0 A
    • Tension Gâchette-Émetteur (VGE) : ±20 V
    • Puissance Dissipée : 305.0 W
  • Transistor IGBT IRGP4068D, 600V, 48A

    Transistor IGBT IRGP4068D, 600V, 48A

    7,00 €     Ajouter au panier

    Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) de 600V avec une diode intégrée à très faible tension directe, conçu pour le chauffage par induction et les applications à commutation douce.

  • Transistor IRLZ44NPBF MOSFET N-Channel TO-220AB 55V 41A

    Transistor IRLZ44NPBF MOSFET N-Channel TO-220AB 55V 41A

    2,00 €     Ajouter au panier

    Transistor MOSFET de puissance unipolaire de type N, conçu pour une tension drain-source de 55V et un courant continu de 41A, présenté dans un boîtier TO-220AB.

  • Transistor MOSFET Canal N MDF18N50

    Transistor MOSFET Canal N MDF18N50

    3,00 €     Ajouter au panier

    Transistor MOSFET canal N de puissance, technologie avancée Magnachip, tension de drain-source de 500 V, courant de drain continu de 18 A et résistance on-state typique de 0.22 Ω.

  • Transistor MOSFET CoolMOS™ CE 500V IPD50R380CE

    Transistor MOSFET CoolMOS™ CE 500V IPD50R380CE

    2,50 €     Ajouter au panier

    Transistor MOSFET haute tension de 500V, technologie CoolMOS™ CE, avec une résistance à l’état passif (RDS(on)) de 0.38 Ω et un courant de drain maximal de 9.3 A, dans un boîtier DPAK.

  • Transistor MOSFET N 800V 4.3A TO-220FP

    Transistor MOSFET N 800V 4.3A TO-220FP

    2,00 €     Ajouter au panier

    Transistor MOSFET à canal N haute tension de la série SuperMESH™, conçu pour les applications de commutation. Il présente une tension de drain-source de 800V et un courant de drain continu de 4,3A.

  • Transistor MOSFET N-CH 550V 12A TO-220FP

    Transistor MOSFET N-CH 550V 12A TO-220FP

    6,00 €     Ajouter au panier

    Transistor MOSFET N-MOSFET unipolar de 550V et 12A, dans un boîtier TO-220FP.

  • Transistor MOSFET N-Channel 40V 3.6A SOT-23 IRLML0040TRPBF

    Transistor MOSFET N-Channel 40V 3.6A SOT-23 IRLML0040TRPBF

    0,60 €     Ajouter au panier

    Transistor MOSFET unipolar de type N, conçu pour la commutation de charges et l’entraînement de moteurs CC, avec une tension drain-source de 40V et un courant de drain continu de 3.6A.

  • Transistor MOSFET N-Channel STL36N55M5 550V 22.5A

    Transistor MOSFET N-Channel STL36N55M5 550V 22.5A

    9,00 €     Ajouter au panier

    Transistor MOSFET unipolaire de type N-Canal, conçu pour une tension de drain-source de 550V et un courant de drain de 22,5A.

  • Transistor N-MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF 30V 5A SOT-23

    Transistor N-MOSFET Infineon IRLML6344TRPBF 30V 5A SOT-23

    0,60 €     Ajouter au panier

    Transistor MOSFET N canal de puissance, tension drain-source 30V, courant continu 5A, montage surface sous boîtier SOT-23.