Description
Présentation
Ce MOSFET N-Channel de la série HEXFET d’Infineon est un composant de puissance en boîtier SMD SOT-23. Il est notamment utilisé pour la commutation de charges (load/switch system) et l’entraînement de moteurs continus. Il est conforme aux directives RoHS.
Spécifications électriques
- Tension Drain-Source (VDS) : 40 V
- Tension Gate-Source (VGS) max. : ±16 V
- Courant de drain continu (ID) @ TA = 25°C : 3.6 A
- Courant de drain continu (ID) @ TA = 70°C : 2.9 A
- Résistance drain-source à l’état passant (RDS(on)) max. : 56 mΩ @ VGS = 10V
- RDS(on) max. : 78 mΩ @ VGS = 4.5V
- Puissance dissipée max. (PD) @ TA = 25°C : 1.3 W
- Tension de seuil de grille (VGS(th)) : 1.0 V à 2.5 V
- Charge de grille totale (Qg) : 2.6 nC à 3.9 nC
Spécifications mécaniques
- Boîtier : SOT-23 (Micro3™)
- Poids : 0.025 g
Conditions d’utilisation / montage
- Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) : 1
- Température de fonctionnement de la jonction : -55°C à +150°C

















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