Transistor MOSFET CoolMOS™ CE 500V IPD50R380CE

Présentation

Le IPD50R380CE est un transistor MOSFET de puissance haute tension utilisant la technologie CoolMOS™ à substrat SuperJunction (SJ). Il est conçu pour offrir de très faibles pertes en conduction et en commutation, le rendant adapté aux applications nécessitant une haute efficacité et une compacité. Ce composant est une alternative performante aux MOSFETS standard.

Spécifications électriques

• Tension drain-source (V_DSS) : 500 V
• Résistance drain-source à l’état passif (R_DS(on)) : 0.38 Ω (max) à V_GS=13V, I_D=3.2A, T_j=25°C
• Courant de drain continu (I_D) : 9.3 A à T_C=100°C ; 6.9 A à T_C=25°C
• Courant de drain impulsionnel (I_D,pulse) : 32.4 A
• Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : 3 V (typique)
• Charge de grille totale (Q_g) : 24.8 nC (typique)
• Énergie de sortie (E_oss) : 2.54 µJ à 400V

Spécifications mécaniques

• Boîtier : DPAK (TO-252)
• Résistance thermique junction-boîtier (R_thJC) : 1.71 °C/W

Conditions d’utilisation / montage

• Tension grille-source (V_GS) : ±30 V
• Température de junction de fonctionnement et de stockage : -55°C à +150°C
• Plage de soudure : 260°C
• Robustesse de commutation du diode de corps : di_F/dt jusqu’à 500 A/µs

Options ou variantes

• Une version exempte d’halogènes est disponible avec la référence IPD50R380CEAT.