PESD15VL2BT Diode de protection ESD / TVS bidirectionnelle v6t v6w

Présentation

Le composant UMW R PESD15VL2BT est un transistor à avalanche en silicium doté d’une technologie à état solide, conçu pour des applications nécessitant une gestion de puissance bidirectionnelle. Il intègre des fonctionnalités de protection contre les surtensions et les décharges électrostatiques (ESD), et est conforme aux réglementations environnementales RoHS/WEEE.

Spécifications électriques

• Puissance crête (tp=8/20μs) : 400 W
• Courant crête (tp=8/20μs) : 11 A
• Tension de claquage (Clamping Voltage) : 35 V à 43 V
• Tension de blocage inverse (VRWM) : 15 V
• Tension de rupture inverse (VBR) : 16.7 V à 20.0 V (pour I=1mA)
• Courant de fuite inverse (IR, VRWM=15V, T=25℃) : 0.1 à 0.5 μA
• Capacité de jonction (Cj) : 20 pF (pour Pin1, Pin2 to Pin3) ou 25 pF

Spécifications mécaniques

• Boîtier : SOT-23
• Température de jonction (TJ) : -55 ℃ à +125 ℃
• Température de stockage (T) : -55 ℃ à +125 ℃