Description
K10A60D -Mosfet N – 600v – 10A – To220 – 45W
Transistor de puissance à effet de champ de niveau standard en mode d’amélioration à canal N dans une enveloppe en plastique utilisant la technologie ’trench’. Le dispositif présente une très faible résistance à l’état passant et des diodes Zener intégrées offrant une protection contre les décharges électrostatiques jusqu’à 2 kV. Il est conçu pour être utilisé dans les alimentations en mode commuté et les applications de commutation d’usage général.
- Tension Drain-source : 600V
- Courant Drain (DC): 10A
- Total power dissipation: 45w
- Jonction température:175°C
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