Description
IRF9520 – Mosfet P – 100v – 6.8A – To220 – 60w
Les MOSFET HEXFET® Power avancés d’International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l’état passant extrêmement faible. Cet avantage, associé à la vitesse de commutation rapide et à la conception d’un appareil standard pour lequel les MOSFET d’alimentation HEXFET sont bien connus, offre au concepteur un appareil extrêmement efficace et fiable pouvant être utilisé dans une grande variété d’applications.Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles. Puissance dissipée d’environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût total du TO-220 contribuent à sa large acceptation dans l’ensemble du secteur.
- Tension Drain-source : 100V
- Courant Drain (DC): 6.8A
- Total power dissipation: 60W
- Jonction température:-55°C à +175°C
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