IGBT IHW30N160R5, 1600V, 30A

Présentation

Le IHW30N160R5 est un IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) de la série Resonant-Switching, incluant une diode monolithique en body diode. Il est validé pour des applications industrielles et est optimisé pour réduire les pertes en commutation.

Spécifications électriques

• Tension collecteur-émetteur (V_CE) : 1600 V
• Courant collecteur (I_C) : 30 A (à T_c=80°C)
• Tension de saturation collecteur-émetteur (V_CEsat) : 1.85 V (typ. à V_GE=15V, I_C=30A, T_vj=25°C)
• Tension seuil grille-émetteur (V_GE(th)) : 4.5 V à 5.8 V
• Charge de grille (Q_G) : 205.0 nC (typ.)
• Température de jonction de fonctionnement : -40°C à +175°C

Spécifications mécaniques

• Boîtier : PG-TO247-3
• Résistance thermique junction-boitier (R_th(j-c)) : 0.57 K/W

Conditions d’utilisation / montage

• Température de soudure maximale : 260°C pendant 10 secondes
• Couple de montage maximal pour les vis M3 : 0.6 Nm