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  • Diode SK3H15SMB - 150Volts - 3A - SMB

    Diode SK3H15SMB – 150Volts – 3A – SMB

    0,45 
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    • Tension de blocage continue (VDC) : 120 V
    • Tension de crête répétitive inverse (VRRM) : 150 V
    • Courant moyen redressé avant maximal (IFA V) : 3 A
    • Boîtier : SMB (Surface Mount Diode)
    • Commutation rapide
  • Diode SMD 600V 1.2A DO-214AC D1F60A

    Diode SMD 600V 1.2A DO-214AC D1F60A

    0,50 
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    Diode redresseuse rapide en boîtier SMD DO-214AC (SMA). Conçue pour une tension inverse maximale de 600V et un courant direct de 1.2A.

  • Diode TVS bidirectionnelle 5KP18CA 5kW 18V

    Diode TVS bidirectionnelle 5KP18CA 5kW 18V

    1,50 
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    Diode Transient Voltage Suppressor (TVS) bidirectionnelle avec une puissance d’impulsion crête de 5000W et une tension de tenue de 18V, conçue pour la protection contre les surtensions.

  • Diode TVS bidirectionnelle BZW04-23B 27V 400W DO-15

    Diode TVS bidirectionnelle BZW04-23B 27V 400W DO-15

    0,30 
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    Diode de suppression de tension transitoire (TVS) bidirectionnelle, tension de claquage de 27V, puissance d’impulsion crête de 400W, boîtier DO-15.

  • Diode TVS bidirectionnelle ESD 5.0V SOD-523 50W

    Diode TVS bidirectionnelle ESD 5.0V SOD-523 50W

    0,30 
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    Diode TVS bidirectionnelle conçue pour protéger les composants sensibles aux surtensions transitoires et aux décharges électrostatiques (ESD). Elle offre une puissance de crête de 50W et est conditionnée en boîtier SOD-523.

  • Diode TVS bidirectionnelle STS321050B100 350W SOD-323

    Diode TVS bidirectionnelle STS321050B100 350W SOD-323

    1,00 
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    Diode de suppression des surtensions transitoires (TVS) bidirectionnelle, d’une puissance de crête de 350W et une tension de travail de 5V, dans un boîtier SOD-323.

  • Diode TVS unidirectionnelle 1.5kW 400V DO-201AD 1.5KE400A

    Diode TVS unidirectionnelle 1.5kW 400V DO-201AD 1.5KE400A

    0,90 
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    Diode de suppression de tension transitoire (TVS) unidirectionnelle, puissance d’impulsion de 1.5kW, tension de claquage de 400V, pour montage traversant (THT).

  • Diode TVS unidirectionnelle P6KE400A 600W 400V DO-15

    Diode TVS unidirectionnelle P6KE400A 600W 400V DO-15

    0,80 
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    Diode TVS (Transient Voltage Suppressor) unidirectionnelle d’une puissance de crête de 600W et d’une tension de claquage de 400V, destinée à la protection contre les surtensions transitoires.

  • Diode TVS unidirectionnelle SMD 600W SMBJ5.0A

    Diode TVS unidirectionnelle SMD 600W SMBJ5.0A

    0,50 
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    Diode de suppression de tension transitoire (TVS) unidirectionnelle 600W, tension de claquage 6.4V à 7.07V, boîtier SMB (DO-214AA).

  • Diode Zener 1N5929BRLG 15V 3W DO-41

    Diode Zener 1N5929BRLG 15V 3W DO-41

    0,50 
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    Diode Zener de 15V, 3W, en boîtier axial DO-41 (CASE59)

  • Diode Zener 1SMB5943BT3G 56V 3W SMD

    Diode Zener 1SMB5943BT3G 56V 3W SMD

    0,60 
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    Diode Zener de régulation de tension, 56V, 3W, montage en surface (SMD), boîtier SMB.

  • Diode Zener 5.6V 400mW SOD80C

    Diode Zener 5.6V 400mW SOD80C

    0,30 
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    Diode Zener de faible puissance, tension Zener nominale de 5,6 V, tolérance ±5 %, pour montage en surface (SMD) dans un boîtier verre hermétique SOD80C.

  • Diode Zener 5W 18V DO-201 1N5355B

    Diode Zener 5W 18V DO-201 1N5355B

    0,40 
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    Diode Zener de 5 W avec une tension Zener nominale de 18 V, conditionnée en boîtier DO-201, conçue pour la stabilisation de tension.

  • Diode Zener BZX55C51-TAP 0.5W 51V DO-35

    Diode Zener BZX55C51-TAP 0.5W 51V DO-35

    0,30 
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    Diode Zener de 51V, 500 mW, pour montage traversant (THT), dans un boîtier DO-35. Elle est conçue pour la stabilisation de tension et les applications à faible bruit.

  • Driver MOSFET/IGBT demi-pont IR4427S 1.5A SOIC-8

    Driver MOSFET/IGBT demi-pont IR4427S 1.5A SOIC-8

    2,40 
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    Driver MOSFET et IGBT double canal basse tension, avec signaux de sortie en phase avec les entrées, capacité de courant de sortie de ±1.5A et plage d’alimentation de 6V à 20V.

  • FGH20N60SFDTU IGBT Field Stop 600 V, 20 A TO-247

    FGH20N60SFDTU IGBT Field Stop 600 V, 20 A TO-247

    5,00 
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    IGBT de technologie Field Stop, d’une tension collecteur-émetteur de 600 V et d’un courant collecteur de 20 A, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes de conduction et de commutation.

  • FGH40T65SHD Transistor IGBT 650 V, 40 A

    FGH40T65SHD Transistor IGBT 650 V, 40 A

    7,00 
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    IGBT de troisième génération utilisant la technologie Field Stop Trench, conçu pour des applications nécessitant de faibles pertes en conduction et en commutation.

  • IGBT IHW30N160R5, 1600V, 30A

    IGBT IHW30N160R5, 1600V, 30A

    5,00 
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    IGBT à conduction inverse avec diode monolithique intégrée, conçu pour des applications de commutation résonante. Il présente une tension collecteur-émetteur de 1600V et un courant collecteur nominal de 30A.

  • IGBT Silicium N-Channel 600V 90A TO-247A

    IGBT Silicium N-Channel 600V 90A TO-247A

    4,00 
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    IGBT N-Channel haute vitesse de commutation, tension collecteur-émetteur de 600V, courant collecteur de 90A, avec diode de récupération rapide intégrée, dans un boîtier TO-247A.

  • IGBT STGP5H60DF - 600V 5A 88W - TO220AB

    IGBT STGP5H60DF – 600V 5A 88W – TO220AB

    3,00 
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    Transistor IGBT tension 600V et courant 5A, avec diode antiparallèle, dans un boîtier TO220AB.