si9945b MOSFET Dual N-Channel 60 V (D-S) SO-8

Présentation

Le Si9945BDY est un MOSFET dual à canaux N de 60 V, basé sur la technologie TrenchFET® de Vishay Siliconix. Il est conçu pour des applications de commutation de puissance variées, telles que les invertisseurs LCD TV CCFL et les commutateurs de charge.

Spécifications électriques

• Tension Drain-Source maximale (V_DS): 60 V
• Résistance Drain-Source en état passant (R_DS(on)) : 0.058 Ω (à V_GS=10V) et 0.072 Ω (à V_GS=4.5V).
• Courant typique (I_D): 5.3 A
• Tension de seuil de grille (V_GS(th)): 2.5 V
• Capacité de grille (C_iss): 1.6 pF (à V_DS=30V, f=1MHz)
• Capacité de sortie (C_oss): 0.8 pF (à V_DS=30V, f=1MHz)
• Charge totale de grille (Q_g): 6.9 nC
• Résistance Drain-Source en état passant (R_DS(on)) : 0.059 Ω (à V_GS=10V) et 0.072 Ω (à V_GS=4.5V).
• Résistance thermique à l’environnement Rth JA: 55 C/W
• Résistance thermique jonction-au-pied (Drain) (R_thJF): 33 °C/W