Transistor bipolaire PNP de puissance 2SA1102 (TO-3PN)

Présentation

Le 2SA1102 est un transistor bipolaire PNP de puissance, conditionné dans un boîtier TO-3PN. Il est indiqué comme le complémentaire du type 2SC2577.

Spécifications électriques

• Tension collecteur-base (VCBO) : -80 V
• Tension collecteur-émetteur (VCEO) : -80 V
• Tension émetteur-base (VEBO) : -6 V
• Courant de collecteur (IC) : -6 A
• Puissance de dissipation (PC) : 60 W (à Tc = 25°C)
• Tension de saturation collecteur-émetteur (VCEsat) : -1,5 V (typique à IC = -3A, IB = -0.3A)
• Tension de saturation base-émetteur (VBEsat) : -1,8 V (typique à IC = -3A, IB = -0.3A)
• Gain en courant continu (hFE) : 50 (typique à IC = -2A, VCE = -4V)
• Fréquence de transition (fT) : 20 MHz (typique à IE = 1A, VCE = -12V)

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-3PN

Conditions d’utilisation / montage

• Température de jonction maximale (Tj) : 150 °C
• Température de stockage (Tstg) : -55 °C à 150 °C

Applications typiques

• Amplificateurs audio de puissance
• Convertisseurs DC-DC