Transistor MOSFET N-CH 550V 12A TO-220FP

Présentation

Ce composant est un transistor MOSFET de canal N, utilisant la technologie MDmesh™ de STMicroelectronics, conçu pour les applications de commutation.

Spécifications électriques

• Tension drain-source (V_DSS) : 500V (typ.), 550V (max. à T_jmax)
• Courant de drain continu (I_D) : 12A (à 25°C), 7.5A (à 100°C)
• Résistance drain-source statique (R_DS(on)) : < 0.35 Ω (à V_GS = 10V, I_D = 6A)
• Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : 3V à 5V
• Dissipation totale (P_TOT) : 35W (à 25°C)

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-220FP
• Poids : 1.69 g

Conditions d’utilisation / montage

• Température de fonctionnement : -65°C à 150°C
• Résistance thermique junction-ambiant (R_thj-a) : 62.5 °C/W (max.)