Transistor NPN bipolaire 2N3055, 100V 15A, boîtier TO-3

Présentation

Le 2N3055 est un transistor NPN silicium planar à base épitaxiale, monté dans un boîtier métallique TO-3. Il est destiné aux circuits de commutation de puissance, aux régulateurs série et shunt, aux étages de sortie et aux amplificateurs haute fidélité.

Spécifications électriques

• Tension collecteur-base (V_CBO) : 100 V
• Tension collecteur-émetteur (V_CEO) : 60 V
• Tension collecteur-émetteur (V_CER avec R_BE ≤ 100Ω) : 70 V
• Courant collecteur (I_C) : 15 A
• Courant de base (I_B) : 7 A
• Dissipation totale (P_tot) à T_c ≤ 25°C : 115 W
• Tension de saturation collecteur-émetteur (V_CE(sat)) : 1 V (I_C=4A, I_B=400mA)
• Gain en courant continu (h_FE) : 20 à 70 (I_C=4A, V_CE=4V)

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-3
• Résistance thermique junction-boîtier (R_thj-case) : 1.5 °C/W max.

Conditions d’utilisation / montage

• Température de jonction maximale : 200 °C
• Température de stockage : -65 °C à 200 °C