Transistor IRLZ44NPBF MOSFET N-Channel TO-220AB 55V 41A

Présentation

Ce MOSFET  IRLZ44NPBF de puissance de cinquième génération de la technologie HEXFET est conçu pour offrir une très faible résistance à l’état passant (R_DS(on)) et une commutation rapide, le rendant efficace pour une grande variété d’applications industrielles et commerciales. Le boîtier TO-220AB est largement utilisé pour des dissipations de puissance allant jusqu’à environ 50 watts.

Spécifications électriques

• Tension Drain-Source (V_DSS): 55 V
• Courant de drain continu (I_D) à T_C = 25°C: 41 A
• Courant de drain continu (I_D) à T_C = 100°C: 33 A
• Résistance Drain-Source à l’état passant (R_DS(on)): 22 mΩ max. (V_GS = 10V, I_D = 25A)
• Tension de seuil de grille (V_GS(th)): 1.0 à 2.0 V
• Dissipation de puissance (P_D) à T_C = 25°C: 83 W
• Tension Grille-Source (V_GS): ±16 V
• Température de jonction maximale (T_J): 175 °C

Spécifications mécaniques

• Boîtier: TO-220AB
• Poids: 1.95 g

Conditions d’utilisation / montage

• Température de soudure: 300°C max. pendant 10 secondes (à 1.6 mm du boîtier)
• Couple de serrage: 10 lbf•in (1.1 N•m) pour vis 6-32 ou M3