Description
Présentation
Ce transistor NPN de puissance est conçu spécifiquement pour les applications d’amplificateur audio. Il présente une bonne linéarité du gain en courant (hFE).
Spécifications électriques
- Tension collecteur-base (VCBO) : 120 V
- Tension collecteur-émetteur (VCEO) : 80 V (Min)
- Tension émetteur-base (VEBO) : 6 V
- Courant de collecteur continu (IC) : 6 A
- Courant de base continu (IB) : 3 A
- Puissance dissipée (PC) à 25°C : 60 W
- Gain en courant continu (hFE) à IC=2A, VCE=4V : 50 (Min)
- Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) à IC=2A, IB=0.2A : 1.5 V (Max)
- Produit gain-bande (fT) à IE=0.5A, VCE=12V : 20 MHz (Typ)
Conditions d’utilisation / montage
- Température de jonction maximale (TJ) : 150 °C
- Température de stockage : -55 °C à 150 °C

















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