Transistor bipolaire NPN de puissance audio 2SC2577 80V 6A

7,00 

Transistor bipolaire NPN en silicium conçu pour les applications d’amplification audio, avec une tension collecteur-émetteur de 80V et un courant de collecteur de 6A.

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UGS : CE-A62E18C8 Catégorie :

Description

Présentation

Ce transistor NPN de puissance est conçu spécifiquement pour les applications d’amplificateur audio. Il présente une bonne linéarité du gain en courant (hFE).

Spécifications électriques

  • Tension collecteur-base (VCBO) : 120 V
  • Tension collecteur-émetteur (VCEO) : 80 V (Min)
  • Tension émetteur-base (VEBO) : 6 V
  • Courant de collecteur continu (IC) : 6 A
  • Courant de base continu (IB) : 3 A
  • Puissance dissipée (PC) à 25°C : 60 W
  • Gain en courant continu (hFE) à IC=2A, VCE=4V : 50 (Min)
  • Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) à IC=2A, IB=0.2A : 1.5 V (Max)
  • Produit gain-bande (fT) à IE=0.5A, VCE=12V : 20 MHz (Typ)

Conditions d’utilisation / montage

  • Température de jonction maximale (TJ) : 150 °C
  • Température de stockage : -55 °C à 150 °C

Informations complémentaires

Poids 0,007 kg

Brand

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