Description
Présentation
Ce transistor PNP est conçu pour les applications d’amplification audio professionnelle (PA), audiovisuelle (AV) et d’amplificateurs domestiques ou automobiles. Il utilise une technique de wafer-mince pour réduire la résistance thermique et offre une capacité de gestion de puissance élevée.
Spécifications électriques
- Tension collecteur-émetteur (VCEO): -230 V
- Tension collecteur-base (VCBO): -230 V
- Tension émetteur-base (VEBO): -6 V
- Courant de collecteur (IC): -15 A
- Puissance de dissipation du collecteur (PC): 160 W
- Gain en courant continu (hFE): Disponible en trois gammes : O (50-100), P (70-140), Y (90-180)
- Tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)): -0.5 V max (IC=-5A, IB=-0.5A)
- Fréquence de coupure (fT): 20 MHz typique
- Température de jonction maximale (TJ): 150 °C
Spécifications mécaniques
- Boîtier: TO-3P (M100)
- Nombre de broches: 3
- Poids approximatif: 6 g
- Matériau du cadre des broches: Cuivre
- Traitement des broches: Placage au nickel et soudure sans plomb
Conditions d’utilisation / montage
- Un radiateur est nécessaire pour dissiper la puissance.
- Couple de serrage recommandé pour la fixation: 0.686 à 0.882 N·m (7 à 9 kgf·cm).
- Le diamètre du trou dans le radiateur doit être inférieur à 4 mm.
- La planéité de la surface de montage doit être ≤ 0.05 mm.
- Utiliser de la graisse silicone thermique (ex: G746, YG6260, SC102) appliquée uniformément et finement.
- Privilégier les vis à tête plate et un serrage électrique avec contrôle de couple.

















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