STP15810 Transistor MOSFET N-channel 100V 110A, TO-220

Présentation

Ce MOSFET de puissance utilise une structure de grille en tranchée avancée qui permet d’obtenir une résistance à l’état passant très faible, tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Spécifications électriques

• Tension Drain-Source (V_DS) : 100 V
• Tension Gate-Source (V_GS) : ±20 V
• Courant de Drain continu (I_D) à T_C = 25 °C : 110 A
• Résistance Drain-Source à l’état passant (R_DS(on)) typique : 0.0036 Ω (max 0.0042 Ω) à V_GS=10 V, I_D=55 A
• Dissipation totale (P_TOT) à T_C = 25 °C : 250 W
• Charge de grille totale (Q_g) typique : 117 nC
• Seuil de tension de grille (V_GS(th)) : 2.5 V à 4.5 V

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-220
• Résistance thermique jonction-boîtier (R_thj-case) max : 0.6 °C/W
• Résistance thermique jonction-ambiant (R_thj-amb) max : 62.5 °C/W

Conditions d’utilisation / montage

• Température de junction de fonctionnement (T_J) : -55 °C à 175 °C
• Testé 100% en avalanche