Description
Présentation
Le RJH3044 est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) canal N utilisant une technologie de grille en trench et wafer fin. Il est conçu pour la commutation de puissance rapide.
Spécifications électriques
- Tension collecteur-émetteur : 360V
- Tension grille-émetteur : ±30V
- Courant de collecteur : 30A
- Courant de collecteur de pointe : 200A
- Courant de pointe de la diode collecteur-émetteur : 100A
- Puissance dissipée : 20W
Spécifications mécaniques
- Boîtier : TO-220 (isolé)
Conditions d’utilisation / montage
- Température de jonction : 150°C
- Température de stockage : -55°C à 150°C

















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