Description
Présentation
Le IRFPS37N50A est un MOSFET de puissance de technologie HEXFET®, optimisé pour les applications de commutation rapide telles que les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS). Il offre une faible charge de grille et une robustesse améliorée aux avalanches et aux variations rapides de tension (dv/dt).
Spécifications électriques
- Tension de drain-source (VDSS) : 500 V
- Courant de drain continu (ID) à TJ = 25°C : 36 A
- Résistance de drain-source à l’état passant (RDS(on)) : 0.13 Ω max (VGS = 10V, ID = 22A)
- Tension de seuil de grille (VGS(th)) : 2.0 V min, 4.0 V max
- Charge de grille totale (Qg) : 180 nC max (ID = 36A, VDS = 400V)
- Tension grille-source maximale (VGS) : ±30 V
- Dissipation de puissance (PD) à 25°C : 446 W
Spécifications mécaniques
- Boîtier : Super-247
- Résistance thermique junction-boîtier (RθJC) : 0.28 °C/W max
Conditions d’utilisation / montage
- Température de jonction de fonctionnement : -55°C à +150°C
- Température de stockage : -55°C à +150°C

















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