MOSFET de puissance N-Channel 500V 36A IRFPS37N50A

8,00 

Transistor MOSFET de puissance HEXFET® N-Channel, conçu pour les applications de conversion d’énergie (SMPS, UPS) avec une tension de drain-source de 500V et un courant de drain continu de 36A.

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UGS : CE-C7887DCA Catégorie :

Description

Présentation

Le IRFPS37N50A est un MOSFET de puissance de technologie HEXFET®, optimisé pour les applications de commutation rapide telles que les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS). Il offre une faible charge de grille et une robustesse améliorée aux avalanches et aux variations rapides de tension (dv/dt).

Spécifications électriques

  • Tension de drain-source (VDSS) : 500 V
  • Courant de drain continu (ID) à TJ = 25°C : 36 A
  • Résistance de drain-source à l’état passant (RDS(on)) : 0.13 Ω max (VGS = 10V, ID = 22A)
  • Tension de seuil de grille (VGS(th)) : 2.0 V min, 4.0 V max
  • Charge de grille totale (Qg) : 180 nC max (ID = 36A, VDS = 400V)
  • Tension grille-source maximale (VGS) : ±30 V
  • Dissipation de puissance (PD) à 25°C : 446 W

Spécifications mécaniques

  • Boîtier : Super-247
  • Résistance thermique junction-boîtier (RθJC) : 0.28 °C/W max

Conditions d’utilisation / montage

  • Température de jonction de fonctionnement : -55°C à +150°C
  • Température de stockage : -55°C à +150°C

Informations complémentaires

Poids 0,007 kg

Brand

International Rectifier

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