MBQ40T65FDSC IGBT 650V 40A, boîtier TO-247

Présentation

Ce composant est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de technologie Field Stop Trench, permettant une commutation rapide avec de faibles pertes. Il intègre une diode de roue libre et est destiné à des applications telles que les correcteurs de facteur de puissance (PFC), les onduleurs (UPS), les onduleurs photovoltaïques, les soudeuses et les tables de cuisson à induction.

Spécifications électriques

• Tension collecteur-émetteur (V_CES) : 650 V
• Courant collecteur continu (I_C) à T_vj=100°C : 40 A
• Tension de saturation collecteur-émetteur (V_CE(sat)) : 1,95 V (typ.) à I_C=40A, V_GE=15V, T_vj=25°C
• Énergie de commutation à l’ouverture (E_off) : 0,35 mJ (typ.) à T_vj=25°C
• Tension de seuil grille-émetteur (V_GE(th)) : 4,0 – 6,0 V
• Charge totale de grille (Q_g) : 219 nC (typ.)
• Temps de court-circuit résistant (t_sc) : 5 μs
• Temps de recouvrement inverse de la diode (t_rr) : 80 ns (typ.) à T_vj=25°C
• Température de jonction maximale (T_vj) : -40 à 175 °C

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-247
• Distance entre broches (e) : 5,45 mm (BSC)
• Hauteur (A) : 4,70 – 5,31 mm
• Largeur (D) : 20,30 – 21,46 mm
• Profondeur (E) : 15,45 – 16,26 mm

Conditions d’utilisation / montage

• Température de stockage : -55 à 150 °C
• Couple de serrage maximal (vis M3) : 0,6 Nm
• Nombre maximum de processus de montage : 3
• Température de soudure (soudure à la vague) : 260 °C pendant 10 secondes à 1,6 mm du boîtier