IGBT Ultrafast SGH80N60UFD 600V 80A en boîtier TO-3P

Présentation

Le SGH80N60UFD est un IGBT de la série UFD de Fairchild Semiconductor, optimisé pour offrir de faibles pertes en conduction et en commutation. Il est conçu pour des applications exigeant une vitesse de commutation élevée, telles que les commandes de moteurs AC et DC, les onduleurs généralistes, la robotique et les asservissements.

Spécifications électriques

• Tension Collecteur-Émetteur (V_CES): 600 V
• Courant de collecteur (I_C): 80 A à T_C = 25°C, 40 A à T_C = 100°C
• Courant de collecteur pulsé (I_CM): 220 A
• Tension de saturation (V_CE(sat)): 2,1 V (typ.) à I_C = 40A, V_GE = 15V
• Tension de seuil grille-émetteur (V_GE(th)): 4,5 V (typ.)
• Temps de commutation (T_d(on) / T_d(off)): 23 ns / 90 ns (typ.) à T_C = 25°C
• Charge de grille totale (Q_g): 175 nC (typ.)
• Diode de roue libre incluse: Courant direct (I_F) de 25 A à T_C = 100°C, Temps de recouvrement inverse (t_rr) de 50 ns (typ.) à T_C = 25°C

Spécifications mécaniques

• Boîtier: TO-3P

Caractéristiques thermiques

• Résistance thermique Jonction-Boitier (IGBT): 0,64 °C/W (max.)
• Résistance thermique Jonction-Boitier (Diode): 0,83 °C/W (max.)
• Puissance dissipable: 195 W à T_C = 25°C, 78 W à T_C = 100°C
• Température de jonction: -55 °C à +150 °C