IGBT Silicium N-Channel 600V 90A TO-247A

Présentation

Ce composant est un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de type N-Channel conçu pour la commutation de puissance à haute vitesse. Il intègre une diode de récupération rapide dans le même boîtier. Il utilise la technologie de grille en trench et de wafer fin.

Spécifications électriques

• Tension collecteur-émetteur maximum (V_CES) : 600 V
• Tension grille-émetteur maximum (V_GES) : ±30 V
• Courant collecteur (I_C) : 90 A (à T_c = 25°C), 50 A (à T_c = 100°C)
• Courant de crête collecteur (i_c(peak)) : 180 A
• Tension de saturation collecteur-émetteur (V_CE(sat)) : 1.35 V typ. (à I_C = 50 A, V_GE = 15 V)
• Dissipation collecteur (P_C) : 328.9 W
• Temps de commutation (t_f) : 74 ns typ. (charge inductive)
• Tension directe diode intégrée (V_ECF1) : 1.2 V typ. (à I_F = 20 A)
• Impédance thermique jonction-boitier (IGBT) (θ_j-c) : 0.38 °C/W
• Impédance thermique jonction-boitier (Diode) (θ_j-cd) : 2.0 °C/W
• Température de jonction maximale (T_j) : 150 °C

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-247A (PRSS0003ZH-A)
• Code package RENESAS : PRSS0003ZH-A
• Masse typique : 6.14 g