CS7N65FA9R Transistor MOSFET N-Channel 650V 7A TO-220F

Présentation

Le CS7N65F A9R est un transistor MOSFET de puissance à canal N, fabriqué avec une technologie planaire auto-alignée. Il est conçu pour réduire les pertes en conduction, améliorer les performances de commutation et augmenter l’énergie d’avalanche. Il est destiné aux circuits de commutation pour adaptateurs et chargeurs. Le boîtier est un TO-220F conforme à la norme RoHS.

Spécifications électriques

• Tension Drain-Source (V_DSS) : 650 V
• Courant de drain continu (I_D) : 7 A (à T_C=25°C)
• Résistance Drain-Source à l’état passant (R_DS(ON)) : Typ. 1,2 Ω (Max. 1,4 Ω) à V_GS=10V, I_D=3,5A
• Tension de seuil de grille (V_GS(TH)) : De 2,0 à 4,0 V
• Charge de grille totale (Q_g) : Typ. 24 nC
• Puissance dissipée (P_D) : 35 W (à T_C=25°C)
• Facteur de déclassement : 0,28 W/°C au-dessus de 25°C
• Tension Grille-Source (V_GS) : ±30 V

Spécifications mécaniques

• Boîtier : TO-220F

Conditions d’utilisation / montage

• Il est conseillé d’utiliser le composant en dessous de 80% de ses caractéristiques maximales.
• Le composant est sensible aux décharges électrostatiques (ESD).
• Des précautions doivent être prises lors du montage du radiateur (couple de serrage et planéité).
• Température de fonctionnement et de stockage : de -55 °C à +150 °C.