AUIRF3205ZS Transistor MOSFET N-Channel 55V 110A D2Pak

Présentation

Ce MOSFET de puissance utilise une technologie de conception avancée HEXFET® spécifiquement développée pour les applications automobiles. Il est caractérisé par une très faible résistance à l’état passant par unité de surface de silicium, une vitesse de commutation rapide et une capacité à supporter des phénomènes de claquage (avalanche) répétitifs.

Spécifications électriques

• Tension Drain-Source (V_(BR)DSS) : 55 V
• Résistance Drain-Source à l’état passant (R_DS(on)) : Typ. 4,9 mΩ (Max. 6,5 mΩ) à V_GS=10V, I_D=66A
• Courant de Drain continu (I_D) :
  • Limite silicium (@ T_C=25°C) : 110 A
  • Limite boîtier (@ T_C=25°C) : 75 A
  • (@ T_C=100°C) : 78 A
• Courant de Drain pulsé (I_DM) : 440 A
• Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : 2,0 V à 4,0 V
• Charge de grille totale (Q_g) : Typ. 76 nC (Max. 110 nC)
• Tension Grille-Source (V_GS) : ±20 V
• Température de jonction de fonctionnement : -55°C à +175°C

Spécifications mécaniques

• Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) : N/A pour TO-220AB, MSL1 pour D2Pak

Conditions d’utilisation / montage

• Application : Principalement pour l’automobile, qualification AEC-Q101.
• Dissipation de puissance (P_D @ T_C=25°C) : 170 W.
• Couple de serrage pour vis (6-32 ou M3) : 10 lbf·in (1,1 N·m)
• Température de soudure (10 secondes à 1,6mm du boîtier) : 300°C